[實(shí)用新型]一種高可靠性的瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922469698.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210837753U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞鴻驥;仇利民;龔建;戴劍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州晶訊科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/16
• 分類號(hào): H01L25/16;H01L23/495
• 代理公司: 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 32293
• 代理人: 李鳳嬌

1.一種高可靠性的瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列，其特征在于：包括引線框架、硅芯片、第一引腳、第二引腳、第三引腳、第四引腳和第五引腳，該引線框架包括主島和伸出于主島的第六引腳，所述硅芯片通過(guò)導(dǎo)電銀膠粘結(jié)于引線框架的主島上，所述硅芯片上集成有兩組二極管芯片組和一個(gè)TVS芯片，該兩組二極管芯片組相對(duì)于所述硅芯片的縱向中心線呈對(duì)稱設(shè)置，每組二極管芯片組包括四個(gè)二極管芯片，每組二極管芯片中，其中兩個(gè)二極管芯片位于硅芯片的上部，另外兩個(gè)二極管芯片位于硅芯片的下部，且位于硅芯片上部的兩個(gè)二極管芯片與位于硅芯片下部的兩個(gè)二極管芯片相對(duì)于硅芯片的橫向中心線呈對(duì)稱設(shè)置；所述TVS芯片位于硅芯片的中部；硅芯片的縱向中心線上設(shè)有位于TVS芯片上方的第一焊盤(pán)以及位于TVS芯片下方的第二焊盤(pán)；硅芯片的橫向中心線上設(shè)有位于TVS芯片左側(cè)的第三焊盤(pán)和第四焊盤(pán)，以及位于TVS芯片右側(cè)的第五焊盤(pán)和第六焊盤(pán)；第一引腳、第二引腳、第三引腳、第四引腳和第五引腳圍繞主島依次設(shè)置，第一引腳通過(guò)金線與第一焊盤(pán)連接，第二引腳通過(guò)金線與第三焊盤(pán)連接，第三引腳通過(guò)金線與第四焊盤(pán)連接，第四引腳通過(guò)金線與第五焊盤(pán)連接，第五引腳通過(guò)金線與第六焊盤(pán)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列，其特征在于：該瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列在使用時(shí)，第六引腳與GND線連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列，其特征在于：該瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列封裝于一環(huán)氧塑封體中，第一引腳、第二引腳、第三引腳、第四引腳、第五引腳和第六引腳分別露出于所述環(huán)氧塑封體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列，其特征在于：所述第一引腳、第二引腳、第三引腳、第四引腳、第五引腳和第六引腳的表面均經(jīng)過(guò)鍍錫處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列，其特征在于：所述引線框架為銅框架。