[實用新型]MOCVD石墨盤有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922435562.X | 申請日: | 2019-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN211771539U | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 付羿;周名兵 | 申請(專利權)人: | 晶能光電(江西)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 330096 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mocvd 石墨 | ||
1.一種MOCVD石墨盤,其特征在于,包括:盤體及分布于所述盤體表面用于放置外延襯底的多個石墨卡槽,所述多個石墨卡槽于所述盤體上分布為內圈和外圈;在外圈的每個石墨卡槽中,于MOCVD石墨盤旋轉時離心力所在方向沿石墨卡槽邊緣卡持外延襯底處開設有一槽口,內部固定一個與該槽口大小匹配的低導熱系數(shù)高機械強度墊片。
2.如權利要求1所述的MOCVD石墨盤,其特征在于,在內圈的每個石墨卡槽中,于MOCVD石墨盤旋轉時離心力所在方向沿石墨卡槽邊緣卡持外延襯底處開設有一槽口,內部固定一與該槽口大小匹配的低導熱系數(shù)高機械強度墊片。
3.如權利要求1或2所述的MOCVD石墨盤,其特征在于,所述槽口弧度占石墨卡槽邊緣的5%~20%,沿石墨卡槽半徑方向上的厚度為1mm~20mm,高度與石墨卡槽的深度相同。
4.如權利要求1或2所述的MOCVD石墨盤,其特征在于,所述墊片的導熱系數(shù)小于75W/(m·K),機械強度中彎曲強度大于170MPa,楊氏模量大于320GPa。
5.如權利要求1或2所述的MOCVD石墨盤,其特征在于,所述墊片為AlN陶瓷墊片。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





