[實用新型]半導體芯片封裝結構有效
| 申請號： | 201922429738.0 | 申請日： | 2019-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN211088247U | 公開（公告）日： | 2020-07-24 |
| 發明（設計）人： | 徐罕;陳彥亨;吳政達;林正忠;高建章 | 申請（專利權）人： | 中芯長電半導體（江陰）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 214437 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 芯片 封裝 結構 | ||
1.一種半導體芯片封裝結構，其特征在于，所述半導體芯片封裝結構包括：
半導體芯片；
導電柱，位于所述半導體芯片的上表面，所述導電柱與所述半導體芯片電連接；
環氧樹脂層，所述環氧樹脂層將所述半導體芯片及所述導電柱塑封且覆蓋所述半導體芯片的側壁，所述環氧樹脂層的下表面和所述半導體芯片的下表面相平齊，所述導電柱暴露于所述環氧樹脂層的上表面；
聚合樹脂層，位于所述環氧樹脂層的上表面，所述聚合樹脂層內具有開口，所述開口暴露出所述導電柱；
凸塊下金屬層，位于所述導電柱的上表面且延伸到所述聚合樹脂層的上表面；
焊球，位于所述凸塊下金屬層的上表面，且所述焊球的上表面高于所述聚合樹脂層的上表面；
保護膜，位于所述半導體芯片和所述環氧樹脂層的下表面。
2.根據權利要求1所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于：所述半導體芯片封裝結構還包括金屬種子層，位于所述半導體芯片和所述導電柱之間。
3.根據權利要求1所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于：所述凸塊下金屬層包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層位于所述導電柱的上表面且延伸到所述聚合樹脂層的上表面，所述第二金屬層位于所述第一金屬層的上表面。
4.根據權利要求3所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于：所述第一金屬層包括銅層和鈦層，所述銅層位于所述導電柱的上表面且延伸到所述聚合樹脂層的上表面，所述鈦層位于所述銅層的上表面，所述第二金屬層包括電鍍銅層。
5.根據權利要求1所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于：所述聚合樹脂層內的開口自下而上逐漸增大。
6.根據權利要求1所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于：所述聚合樹脂層的厚度小于所述環氧樹脂層的厚度。
7.根據權利要求1所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于：所述導電柱包括銅柱。
8.根據權利要求1～7任一項所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于：所述保護膜包括樹脂膜。
9.根據權利要求8所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于：所述保護膜的厚度為8～50μm。
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