[實(shí)用新型]一種并聯(lián)IGBT峰值過(guò)流檢測(cè)保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922425435.1
• 申請(qǐng)日: 2019-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211505783U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章正波;梁亞軍;王長(zhǎng)江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西麥克斯韋科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;G01R19/165
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• 代理人: 暫無(wú)信息

一種并聯(lián)IGBT峰值過(guò)流檢測(cè)保護(hù)電路，包括一個(gè)峰值過(guò)流檢測(cè)單元以及多個(gè)檢測(cè)信號(hào)采集單元；所述過(guò)流檢測(cè)單元的輸入端包括第一引腳OCP和第二引腳OCN，所述檢測(cè)信號(hào)采集單元包括電流電壓轉(zhuǎn)換模塊、跨導(dǎo)單元、二極管以及反饋模塊；通過(guò)多個(gè)檢測(cè)信號(hào)采集單元采集多個(gè)并聯(lián)的IGBT的過(guò)流檢測(cè)引腳信號(hào)，將采集的多個(gè)信號(hào)連接到同一個(gè)過(guò)流檢測(cè)單元，不僅可節(jié)省成本、減小體積，而且更易于布線；并且，相對(duì)于平均電流檢測(cè)方法,采用本方案可以選擇出最大的過(guò)流值,有利于更精確的控制過(guò)流。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及過(guò)流檢測(cè)保護(hù)電路領(lǐng)域，具體涉及一種并聯(lián)IGBT峰值過(guò)流檢測(cè)保護(hù)電路。

背景技術(shù)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是由BJT(Bipolar Junction Transistor，雙極型三極管)和MOS(metal oxide semiconductor，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，其兼有MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(Giant Transistor，電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

在IGBT并聯(lián)使用的場(chǎng)合中，每個(gè)IGBT集成片上的過(guò)流信號(hào)都需要單獨(dú)的檢測(cè)通道進(jìn)行過(guò)流檢測(cè)，即每個(gè)IGBT連接一個(gè)過(guò)流檢測(cè)單元并通過(guò)該過(guò)流檢測(cè)單元判斷對(duì)應(yīng)的IGBT是否過(guò)流。

上述將每個(gè)IGBT連接一個(gè)過(guò)流檢測(cè)單元的方案，不僅成本較高，而且體積大，特別是并聯(lián)IGBT兩個(gè)以上，現(xiàn)有技術(shù)中存在用以解決的檢測(cè)電路，但其實(shí)施過(guò)程中依舊存在實(shí)施成本高以及占用體積大的不足。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型提供了一種并聯(lián)IGBT峰值過(guò)流檢測(cè)保護(hù)電路，接下來(lái)對(duì)本技術(shù)方案做進(jìn)一步地闡述。

一種并聯(lián)IGBT峰值過(guò)流檢測(cè)保護(hù)電路，包括一個(gè)峰值過(guò)流檢測(cè)單元以及多個(gè)檢測(cè)信號(hào)采集單元；所述過(guò)流檢測(cè)單元的輸入端包括第一引腳OCP和第二引腳OCN，所述檢測(cè)信號(hào)采集單元包括電流電壓轉(zhuǎn)換模塊、跨導(dǎo)單元、二極管以及反饋模塊；

所述的任意一個(gè)電流電壓轉(zhuǎn)換模塊一端連接至IGBT的過(guò)流檢測(cè)引腳，所有的電流電壓轉(zhuǎn)換模塊的另一端連接過(guò)流檢測(cè)單元的第二引腳OCN；所述跨導(dǎo)單元具有第一輸入端和第二輸入端兩個(gè)輸入端，所述第一輸入端連接至IGBT和電流電壓轉(zhuǎn)換模塊之間的節(jié)點(diǎn)，跨導(dǎo)單元的輸出連接二極管的正極，所述的所有的二極管的負(fù)極共同連接于節(jié)點(diǎn)P作為共同輸出節(jié)點(diǎn)，此共同輸出節(jié)點(diǎn)連接過(guò)流檢測(cè)單元的第一引腳OCP；所述反饋模塊耦接于所述共同輸出節(jié)點(diǎn)P與所述跨導(dǎo)單元的第二輸入端之間；

過(guò)流檢測(cè)單元的第一引腳OCP和第二引腳OCN之間接有濾波電路。

進(jìn)一步地，所述濾波電路包括一個(gè)電阻和一個(gè)電容，所述電阻和電容并聯(lián)連接。

進(jìn)一步地，所述電流電壓轉(zhuǎn)換模塊采用電阻。

進(jìn)一步地，跨導(dǎo)單元為運(yùn)算放大器。進(jìn)一步地，反饋模塊直接采用跨界導(dǎo)線，在滿足電路功能的前提下，大幅縮減電路體積。

有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型通過(guò)多個(gè)檢測(cè)信號(hào)采集單元采集多個(gè)并聯(lián)的IGBT的過(guò)流檢測(cè)引腳信號(hào)，將采集的多個(gè)信號(hào)連接到同一個(gè)過(guò)流檢測(cè)單元，不僅可節(jié)省成本、減小體積，而且更易于布線；并且，相對(duì)于平均電流檢測(cè)方法,采用本方案可以選擇出最大的過(guò)流值,有利于更精確的控制過(guò)流。

附圖說(shuō)明

圖1：本實(shí)用新型并聯(lián)IGBT峰值過(guò)流檢測(cè)保護(hù)電路的示意圖；

圖2：本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)示意圖；