[實用新型]一種微型LED發光器件有效
| 申請號: | 201922390332.6 | 申請日: | 2019-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN210073842U | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發明(設計)人: | 孫雷蒙;楊丹;劉芳;李坤 | 申請(專利權)人: | 華引芯(武漢)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62;H01L27/15 |
| 代理公司: | 33231 杭州宇信知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 張宇娟 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電接觸器 包覆體 本實用新型 發光器件 微型LED 保護層 傳統的 電性連接 封裝工藝 支架封裝 并聯 封裝 | ||
本實用新型提供一種微型LED發光器件,包括RGB芯片組、導電接觸器、包覆體和保護層,所述RGB芯片組包括并聯的R芯片、G芯片和B芯片,所述RGB芯片組與所述導電接觸器電性連接,所述包覆體在水平方向包裹所述RGB芯片組和所述導電接觸器,所述保護層設置于所述RGB芯片組和所述包覆體上方。相比于傳統的LED顯示模組,本實用新型的微型LED發光器件通過導電接觸器代替了傳統的支架封裝,可縮小封裝體積、簡化封裝工藝。
技術領域
本實用新型涉及LED封裝領域,尤其涉及一種微型LED發光器件。
背景技術
在室內中高端顯示市場,DLP背投顯示為主流技術,但DLP技術有著天然的缺陷。首先,DLP背投顯示根本無法消除顯示單元之間的1毫米拼縫,可以最少吞噬掉一個顯示像素。其次,DLP在色彩表現力方面也遜色于直接發光的LED顯示屏。尤為不足的是,由于DLP顯示單元之間的差異,造成了整個顯示屏的色彩和亮度的均勻性很難掌控,隨著產品運行時間的增加,單元之間差異也會越來越大,拼縫很難保持一致,并且會越來越明顯。而單元之間存在的色彩差異以及拼縫的調整問題,使得產品在后期進行維護維修比較困難。隨著LED顯示屏制造技術的提高,室內高密度小間距LED顯示屏應運而生,是指LED顯示單元點間距在P2.5及以下的室內LED顯示屏,主要包括P2.5、P2.083、P1.923、P1.8、P1.667、P1.5、P1.25、P1.0等LED顯示屏產品,其特點是屏的點間距小,單位面積的分辨率高,可以顯示更高清晰度的圖形圖像和視頻,也可以顯示更多路的視頻和圖像畫面,且顯示色彩自然真實,尤其是在圖像拼接方面的運用,可以做到無縫和任意大面積拼接。
戶內顯示屏應用最多的是三基色LED器件,例如目前體積極小的、規格為1010的三基色LED,能做出點間距達到P2.0以下戶內顯示屏,大大提高戶內顯示屏分辨率。然而,現在市場上主流的三基色LED器件的封裝體為PCT/EMC/PPA等材料,受支架廠技術與市場化材料規格的限制,封裝體載板的尺寸厚度無法進一步做小,則三基色LED器件的封裝體積無法進一步縮小,顯示屏的點間距隨之優化困難。在如今,高端LED顯示屏應用具有微小間距、模塊化封裝、可量產化等的要求,如何在提高良率的基礎上生產出尺寸更小的封裝體成為目前LED封裝技術的最大難點。
發明內容
為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種微型LED發光器件,其特征在于,包括RGB芯片組、導電接觸器、包覆體和保護層,所述RGB芯片組包括并聯的R芯片、G芯片和B芯片,所述RGB芯片組與所述導電接觸器電性連接,所述包覆體在水平方向包裹所述RGB芯片組和所述導電接觸器,所述保護層設置于所述RGB芯片組和所述包覆體上方。
特別地,所述導電接觸器由第一導電接觸器、第二導電接觸器、第三導電接觸器和第四導電接觸器組成。
優選地,當所述第一導電接觸器與所述R芯片、G芯片和B芯片的P極相連時,所述第二導電接觸器與所述R芯片的N極相連,所述第三導電接觸器與所述G芯片的N極相連,所述第四導電接觸器與所述B芯片的N極相連;或者當所述第一導電接觸器與所述R芯片、G芯片和B芯片的N極相連時,所述第二導電接觸器與所述R芯片的P極相連,所述第三導電接觸器與所述G芯片的P極相連,所述第四導電接觸器與所述B芯片的P極相連。
優選地,所述第二導電接觸器、第三導電接觸器和第四導電接觸器大小、形狀和厚度相同。
優選地,第一導電接觸器長300~380μm,寬70~160μm,所述第二導電接觸器與所述第三導電接觸器、所述第四導電接觸器長70~160μm,寬80~120μm。
優選地,所述導電接觸器的材料為Cu、Sn、Al、Ni、Ag、Au、AgSn或AuSn中的一種或多種。
優選地,所述R芯片為倒裝結構、正裝結構或垂直結構;
所述G芯片為倒裝結構、正裝結構或垂直結構;
所述B芯片為倒裝結構、正裝結構或垂直結構。
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