[實用新型]一種電注入裝置有效
| 申請號: | 201922388901.3 | 申請日: | 2019-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN210778646U | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 張達奇;吳堅;蔣方丹 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215129 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 注入 裝置 | ||
1.一種電注入裝置,包括殼體(1)和電注入部,所述殼體(1)內具有工藝腔(10),所述電注入部能向容置于所述工藝腔(10)內的硅片通電,其特征在于,所述電注入裝置還包括:
輔助加熱結構(2),設置于所述工藝腔(10)內,所述輔助加熱結構(2)與備用電源電性連接,以在通電時加熱所述硅片;及
測溫組件(3),設置于所述工藝腔(10)內,所述測溫組件(3)用于測量所述硅片的溫度,并與所述備用電源電性連接。
2.根據權利要求1所述的電注入裝置,其特征在于,所述輔助加熱結構(2)包括紅外加熱燈管。
3.根據權利要求2所述的電注入裝置,其特征在于,所述紅外加熱燈管的延伸方向平行于所述硅片的傳輸方向,所述紅外加熱燈管的長度與所述硅片邊長的差值為±5cm。
4.根據權利要求2所述的電注入裝置,其特征在于,所述紅外加熱燈管的延伸方向垂直于所述硅片的傳輸方向,所述紅外加熱燈管的長度與所述硅片的疊層高度的差值為±5cm。
5.根據權利要求2所述的電注入裝置,其特征在于,所述紅外加熱燈管的數量為兩個以上,各個所述紅外加熱燈管平行設置。
6.根據權利要求1所述的電注入裝置,其特征在于,所述電注入裝置還包括控制器,所述控制器與所述電注入部、所述輔助加熱結構(2)、所述測溫組件(3)及所述備用電源電性連接。
7.根據權利要求1-6任一項所述的電注入裝置,其特征在于,所述殼體(1)包括上下相對的頂壁(11)和底壁(12),以及連接在所述頂壁(11)和所述底壁(12)的側部且相對設置的兩個側壁(13);
所述電注入裝置還包括連接于所述頂壁(11)和所述底壁(12)的端部、用于封閉所述殼體(1)以形成所述工藝腔(10)的門體(4);
所述輔助加熱結構(2)設置于所述頂壁(11)、所述底壁(12)或所述側壁(13)內側。
8.根據權利要求7所述的電注入裝置,其特征在于,所述輔助加熱結構(2)對稱地設置于兩所述側壁(13)內側,且與容置于所述工藝腔(10)內的所述硅片的位置對應。
9.根據權利要求7所述的電注入裝置,其特征在于,所述門體(4)與所述殼體(1)滑動連接或鉸接。
10.根據權利要求1-6任一項所述的電注入裝置,其特征在于,還包括傳輸機構,所述傳輸機構用于向所述工藝腔(10)內輸送硅片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





