[實(shí)用新型]一種基于XC7Z045高性能通用信號(hào)處理SiP電路技術(shù)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922384412.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-12-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN211375603U | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黎蕾;張如州 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所 |
| 主分類號(hào)： | G06F30/39 | 分類號(hào)： | G06F30/39;H01L25/16 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 xc7z045 性能 通用 信號(hào) 處理 sip 電路 技術(shù) 裝置 | ||
1.一種基于XC7Z045高性能通用信號(hào)處理SiP電路技術(shù)裝置，其特征在于，包括數(shù)據(jù)信號(hào)處理裝置、存儲(chǔ)裝置和PBGA900基板，其中：
所述數(shù)據(jù)信號(hào)處理裝置包括信號(hào)處理核心芯片XC7Z045、eMMC存儲(chǔ)器芯片、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片DDR3和BOOT程序存儲(chǔ)芯片QSPIFLASH；
所述存儲(chǔ)裝置包括eMMC控制器芯片和NAND flash存儲(chǔ)器芯片；
所述信號(hào)處理核心芯片XC7Z045和所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片DDR3采用兩層堆疊方式堆疊，所述信號(hào)處理核心芯片XC7Z045、所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片DDR3以及所述BOOT程序存儲(chǔ)芯片QSPIFLASH連接于硅轉(zhuǎn)接基板的上表面上且整體密封設(shè)于所述PBGA900基板上表面與塑封管殼之間腔體內(nèi)；
所述eMMC控制器芯片和所述NAND flash存儲(chǔ)器芯片采用兩層堆疊方式堆疊，連接于所述PBGA900基板表面上且密封設(shè)于所述腔體內(nèi)，在所述PBGA900基板的下表面進(jìn)行植球。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信號(hào)處理SiP電路技術(shù)裝置，其特征在于，
所述信號(hào)處理核心芯片XC7Z045和所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片DDR3之間通過鍵合方式電性連接；
所述信號(hào)處理核心芯片XC7Z045和所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片DDR3堆疊后倒裝焊接于所述PBGA900基板上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信號(hào)處理SiP電路技術(shù)裝置，其特征在于，所述信號(hào)處理核心芯片XC7Z045和所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片DDR3堆疊后形成一堆疊部，所述堆疊部上粘接散熱蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信號(hào)處理SiP電路技術(shù)裝置，其特征在于，
所述eMMC控制器芯片和所述NAND flash存儲(chǔ)器芯片通過鍵合方式電性連接；
所述eMMC控制器芯片和所述NAND flash存儲(chǔ)器芯片堆疊后倒裝焊接于所述PBGA900基板上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信號(hào)處理SiP電路技術(shù)裝置，其特征在于，所述信號(hào)處理核心芯片XC7Z045被配置為處理接收到的信號(hào)數(shù)據(jù)；
所述eMMC存儲(chǔ)器芯片對(duì)大于預(yù)定容量的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)；
所述BOOT程序存儲(chǔ)芯片QSPI FLASH用于存儲(chǔ)所述信號(hào)處理核心芯片XC7Z045的BOOT程序；
所述基于XC7Z045高性能通用信號(hào)處理SiP電路技術(shù)裝置還包括連接于所述PBGA900基板上表面腔體內(nèi)的對(duì)外接口芯片，所述對(duì)外接口芯片與所述信號(hào)處理核心芯片XC7Z045鍵合電性連接，所述對(duì)外接口芯片采用RS485和CAN總線與上位機(jī)進(jìn)行通訊及信息交換。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信號(hào)處理SiP電路技術(shù)裝置，其特征在于，所述PBGA900基板采用高溫塑封基板，所述PBGA900基板的上表面鍍有布線，所述信號(hào)處理核心芯片XC7Z045和所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片DDR3堆疊后倒裝焊接于所述PBGA900基板上表面的布線上，所述eMMC控制器芯片和所述NAND flash存儲(chǔ)器芯片堆疊后倒裝焊接于所述PBGA900基板上表面的布線上。
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