[實用新型]一種渦流抑制結構

有效

• 申請號: 201922381538.2
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN211376925U
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 彭春瑞;李君儒;陳鍶;高楊;任萬春
• 申請（專利權）人: 四川爆米微納科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q1/38;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/04
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 蔣杰

1.一種渦流抑制結構，包括磁致伸縮層(1)，其特征在于，還包括絕緣介質層，所述絕緣介質層設置于所述磁致伸縮層(1)內，用于打斷渦流；所述磁致伸縮層(1)內沿其厚度方向設置第一絕緣介質層(2)和所述磁致伸縮層(1)內沿其寬度方向設置第二絕緣介質層(3)。

2.根據權利要求1所述一種渦流抑制結構，其特征在于，所述磁致伸縮層(1)內沿其厚度方向設置至少一層所述第一絕緣介質層(2)。

3.根據權利要求2所述一種渦流抑制結構，其特征在于，所述第一絕緣介質層(2)為三層且相互平行，每層所述第一絕緣介質層(2)的厚度為5-100nm，所述磁致伸縮層(1)的材料為FeGaB薄膜，所述FeGaB薄膜總厚度為1μm，所述第一絕緣介質層(2)的電導率范圍為0-100S/m，所述第一絕緣介質層(2)由Al₂O₃、Si₃N₄和AlN中任一種材料制成。

4.根據權利要求1所述一種渦流抑制結構，其特征在于，所述磁致伸縮層(1)內沿其寬度方向設置至少一層所述第二絕緣介質層(3)。

5.根據權利要求4所述一種渦流抑制結構，其特征在于，所述第二絕緣介質層(3)為三層且相互平行，每層所述第二絕緣介質層(3)的厚度為5-30nm，所述磁致伸縮層(1)的材料為FeGaB薄膜，所述FeGaB薄膜總厚度為1μm，所述第二絕緣介質層(3)的電導率范圍為0-100S/m，所述第二絕緣介質層(3)由Al₂O₃、Si₃N₄和AlN中任一種材料制成。

6.一種磁電天線，包括上電極，其特征在于，還包括權利要求1-5任一項所述渦流抑制結構，所述渦流抑制結構設置在所述上電極上。