[實用新型]一種體聲波諧振器及濾波器

有效

• 申請號: 201922380231.0
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN211405986U
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 李國強
• 申請（專利權）人: 河源市眾拓光電科技有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 谷孝東

1.一種體聲波諧振器，其特征在于，包括從下至上依次分布外延襯底、鍵合層、支撐層、底電極、壓電薄膜、頂電極與介質層；所述壓電薄膜的上表面與下表面分別連接有相對的頂電極與底電極，所述頂電極、壓電薄膜與底電極構成三明治結構，且所述外延襯底與鍵合層、底電極圍成空氣隙結構；所述壓電薄膜的上表面還設有與所述頂電極位置不重合的電容下電極，所述介質層包覆于電容下電極的外表面，且所述頂電極的上表面顯露于所述介質層；在所述介質層的上表面設有電容上電極，所述電容下電極與所述電容上電極的正投影重合。

2.如權利要求1所述的一種體聲波諧振器，其特征在于，所述鍵合層與所述壓電薄膜之間還設有填平層，所述填平層位于底電極的外側，所述填平層的與所述底電極厚度相同。

3.如權利要求1所述的一種體聲波諧振器，其特征在于，所述底電極與頂電極、電容上電極與電容下電極均為金屬材料，且所述金屬材料包括鉑Pt、鉬Mo、鈦Ti、鋁Al、金Au中的一種或以上，所述壓電薄膜為氮化鋁AlN；所述鍵合層、介質層為二氧化硅SiO₂。

4.一種濾波器，其特征在于，包括多個如權利要求1～3任一所述的體聲波諧振器與基板、射頻電容元件，且所述體聲波諧振器平面排布于基板，且至少其中兩個所述體聲波諧振器串聯，至少其中兩個所述體聲波諧振器并聯，且并聯的體聲波諧振器的頂電極上表面設有加厚層；所述射頻電容元件連接所述體聲波諧振器。

5.如權利要求4所述的一種濾波器，其特征在于，所述射頻電容元件包括補償電容通路與射頻電容，所述補償電容通路包括電容上電極、電容下電極、介質層，且所述電容上電極與并聯的體聲波諧振器的底電極連接。

6.如權利要求4所述的一種濾波器，其特征在于，所述介質層的厚度為150nm～3.5μm，所述電容上電極的厚度為100nm～2μm，所述電容下電極的厚度為30nm～1μm；所述鍵合層的厚度為1～4μm；所述壓電薄膜的厚度為100nm～2μm。