[實用新型]半導體結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922376860.6
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN210984722U
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 李佳龍;王蒙蒙
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/535
• 分類號: H01L23/535;H01L23/48
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

介電層；

導線層，位于所述介電層內，所述導線層包括第一導電部及第二導電部，所述第二導電部位于所述第一導電部的下方，且與所述第一導電部電連接；

低介電常數(shù)材料層，位于相鄰所述第一導電部之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述低介電常數(shù)材料層還位于相鄰所述第二導電部之間。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述半導體結構還包括金屬阻擋層，所述金屬阻擋層位于所述導線層與所述低介電常數(shù)材料層之間及所述導線層與所述介電層之間。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述第一導電部的寬度大于所述第二導電部的寬度。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述半導體結構還包括覆蓋保護層，所述覆蓋保護層位于所述介電層上，且覆蓋所述導線層的上表面及所述介電層的上表面。

6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的半導體結構，其特征在于：所述介電層內形成有下層導電結構，所述下層導電結構包括導電金屬層和阻擋層，所述阻擋層位于所述導電金屬層與所述介電層之間，所述導電金屬層與所述導線層電連接。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體結構，其特征在于：所述介電層內還形成有金屬線層，位于所述下層導電結構上，所述金屬線層與所述下層導電結構電連接并與所述導線層電連接。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體結構，其特征在于：所述介電層內還形成有保護層，位于所述金屬線層的上表面。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體結構，其特征在于：所述第二導電部穿過所述保護層并與所述金屬線層電連接。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述低介電常數(shù)材料層的頂部不低于所述第一導電部的頂部，且所述低介電常數(shù)材料層的底部不高于所述第一導電部的底部。