[實用新型]晶體硅太陽能電池板修復處理裝置有效
| 申請號: | 201922355059.3 | 申請日: | 2019-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN211238276U | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | 王學孟;歐舜杰;李晨輝 | 申請(專利權)人: | 順德中山大學太陽能研究院 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 薛建強 |
| 地址: | 528311 廣東省佛山市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體 太陽能 電池板 修復 處理 裝置 | ||
本實用新型公開了一種晶體硅太陽能電池板修復處理裝置,能夠實現對晶體硅電池板的進行熱處理和施加電壓,并避免電池主柵缺失無法對外連接通電,其中裝置包括熱液箱、載物臺、導電金屬膜,柔性金屬膜接觸不會對電極表面造成任何破壞;采用柔性絕緣薄膜和液體壓力,壓力均勻分布在晶體硅太陽能電池板表面,壓力通過液體重量調控,不存在應力集中的問題;導電金屬膜接觸整個正面電池的細柵和主柵,電流不用通過主柵,再到細柵,避免電流過于集中導致電池局部發熱或出現電流過大導致擊穿等危險;高熱容的熱液給電池加熱,相比加熱板加熱等方式,溫度的穩定性和均勻性更好。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池板領域,特別涉及一種晶體硅太陽能電池板修復處理裝置。
背景技術
晶體硅太陽電池是目前光伏市場的主流產品,2018年全球產量達到115GW,國內產量達到65GW,全球累計裝機超過500GW,按片計算,其生產使用量已超過1000億片。
在晶體硅電池板的大量長時間使用到目前已接近20年,隨著產品壽命的到期,大量廢舊組件產品需要回收處理,從廢舊組件中拆解回收晶體硅電池進行再利用是一個可行的處理方向;現有熱解技術可以實現晶體硅太陽能電池板的大規模回收和修復,但是在熱解過程,連接電池電極主柵的焊帶大部分會脫落,并導致電池電極主柵大部分隨之脫落,無法采用常規的焊帶或探針法與外部電路形成良好接觸;同時經過長時間使用和熱解處理的晶體硅太陽電池,普遍存在因硅材料本身缺陷增加累積導致的性能衰減。
實用新型內容
本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此,本實用新型提出一種晶體硅太陽能電池板修復處理裝置,能夠實現對晶體硅電池板的進行熱處理,解決電池主柵缺失帶來的電極連接問題。
根據本實用新型實施例的晶體硅太陽能電池板修復處理裝置,包括熱液箱、載物臺、導電金屬膜;所述熱液箱箱底由柔性絕緣薄膜制成,所述熱液箱內腔從上至下依次分為儲液加熱腔、施壓腔,所述儲液加熱腔內設有加熱裝置,所述儲液加熱腔與所述施壓腔間相互獨立并通過開關管道連通,所述開關管道通過電泵控制;所述載物臺包括導電金屬板,所述導電金屬板用于放置晶體硅太陽能電池板,所述導電金屬板與外部電源的電極連接;所述導電金屬膜位于所述柔性絕緣薄膜底面與晶體硅太陽能電池板之間,所述導電金屬膜與外部電源的電極連接。
根據本實用新型的一些實施例,所述熱液箱內腔中裝有用于分隔所述儲液加熱腔與所述施壓腔的金屬板,所述金屬板由高導熱性的剛性金屬材料制成。
根據本實用新型的一些實施例,所述導電金屬膜通過粘結或鍍膜在所述柔性絕緣薄膜的底面上。
根據本實用新型的一些實施例,所述載物臺還包括位于所述導電金屬板底部的絕緣隔熱板。
根據本實用新型的一些實施例,所述加熱裝置為加熱管或加熱膜。
根據本實用新型的一些實施例,所述柔性絕緣薄膜厚度為0.001-1mm,所述導電金屬膜厚度為0.00001mm-0.5mm。
根據本實用新型的一些實施例,所述儲液加熱腔中裝有循環泵。
根據本實用新型實施例的一種晶體硅太陽能電池板修復處理裝置,至少具有如下有益效果:
1.柔性金屬膜接觸不會對電極表面造成任何破壞。
2.采用柔性絕緣薄膜和液體壓力,壓力均勻分布在晶體硅太陽能電池板表面,壓力通過液體重量調控,不存在應力集中導致表面損傷,電池片出現裂紋,破碎等危險。
3.通過導電金屬膜接觸整個正面電池的細柵和主柵,電流不需要通過主柵,再到細柵,避免電流過于集中導致電池局部發熱或出現電流過大導致擊穿等危險。
4.通過高熱容的熱液給電池加熱,相比加熱板加熱等方式,溫度的穩定性和均勻性更好。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





