[實用新型]一種晶格式鞋底

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922349827.4
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN211021190U
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁晨;馬克·安德魯·克羅嫩伯格;安格斯·尼姆林·沃德洛;李蘇
• 申請（專利權(quán)）人: 安踏（中國）有限公司
• 主分類號: A43B13/14
• 分類號: A43B13/14;A43B13/18
• 代理公司: 福建聯(lián)合信實律師事務(wù)所 35228
• 代理人: 李剛

1.一種晶格式鞋底，采用3D打印技術(shù)制作而成，其特征在于，所述晶格式鞋底包括第一晶格區(qū)域與第二晶格區(qū)域，所述第一晶格區(qū)域的第一晶格結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)密度高于所述第二晶格區(qū)域的第二晶格結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)密度。

2.如權(quán)利要求1所述的一種晶格式鞋底，其特征在于，所述第一晶格結(jié)構(gòu)與所述第二晶格結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)連接，且所述第一晶格結(jié)構(gòu)的第一連接面的四個第一頂角點與所述第二晶格結(jié)構(gòu)的第二連接面的四個第二頂角點一一對應(yīng)，且所述第一晶格結(jié)構(gòu)的第一連接面的第一中心點與所述第二晶格結(jié)構(gòu)的第二連接面的第二中心點相互對應(yīng)。

3.如權(quán)利要求2所述的一種晶格式鞋底，其特征在于，所述第一晶格結(jié)構(gòu)與所述第二晶格結(jié)構(gòu)的桿徑尺寸均位于0.7毫米-2毫米范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求3所述的一種晶格式鞋底，其特征在于，所述第一晶格區(qū)域與所述第二晶格區(qū)域分布在所述晶格式鞋底的水平方向上，所述第一晶格區(qū)域位于所述晶格式鞋底的后腳掌位置，所述第一晶格結(jié)構(gòu)用于提供較高支撐性能，所述第二晶格位置位于所述晶格式鞋底的前腳掌位置，所述第二晶格結(jié)構(gòu)用于提供較高回彈減震性能。

5.如權(quán)利要求3所述的一種晶格式鞋底，其特征在于，所述第一晶格區(qū)域與所述第二晶格區(qū)域分布在所述晶格式鞋底的豎直方向上，所述第一晶格區(qū)域位于所述第二晶格區(qū)域的下方，所述第一晶格結(jié)構(gòu)平均桿長度比所述第二晶格結(jié)構(gòu)的平均桿長度短，用于提供較強的支撐性能，所述第二晶格結(jié)構(gòu)具有多面體的內(nèi)部空間結(jié)構(gòu)，用于提供較高減震性能。

6.如權(quán)利要求5所述的一種晶格式鞋底，其特征在于，所述第一晶格結(jié)構(gòu)為四葉菱形堆疊結(jié)構(gòu)，所述第二晶格結(jié)構(gòu)為截角八面體結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求5所述的一種晶格式鞋底，其特征在于，所述晶格式鞋底進一步包括第三晶格區(qū)域，所述第三晶格區(qū)域位于所述第二晶格區(qū)域上方，且所述第三晶格區(qū)域的第三晶格結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)密度低于所述第二晶格區(qū)域的所述第二晶格結(jié)構(gòu)，用于提供輕柔接觸性能，所述第三晶格結(jié)構(gòu)為類金剛石分子結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求5所述的一種晶格式鞋底，其特征在于，所述晶格式鞋底進一步包括另一第一晶格區(qū)域，所述另一第一晶格區(qū)域位于所述第二晶格區(qū)域的下方。

9.如權(quán)利要求3所述的一種晶格式鞋底，其特征在于，在豎直方向上，所述第一晶格區(qū)域的所述第一晶格結(jié)構(gòu)的桿徑尺寸從上到下依次增大，或所述第二晶格區(qū)域的所述第二晶格結(jié)構(gòu)的桿徑尺寸從上到下依次增大。

10.如權(quán)利要求3所述的一種晶格式鞋底，其特征在于，在豎直方向上，所述第一晶格區(qū)域的所述第一晶格結(jié)構(gòu)的桿徑尺寸從上到下依次增大，且所述第二晶格區(qū)域的所述第二晶格結(jié)構(gòu)的桿徑尺寸從上到下依次增大。