[實用新型]背照式圖像傳感器有效
| 申請號： | 201922347287.6 | 申請日： | 2019-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN211376643U | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發明（設計）人： | 趙立新;黃琨;李杰;付文 | 申請（專利權）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背照式 圖像傳感器 | ||
【權利要求書】：
1.一種背照式圖像傳感器，其特征在于，所述背照式圖像傳感器包括：具有若干像素單元的像素陣列；
所述像素單元之間具有深層P型摻雜區域，所述深層P型摻雜區域連接相鄰像素單元的P型阱區域；
表面P型摻雜區域，適于連通相鄰像素單元的釘扎層結構。
2.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，
所述像素陣列還包括：提供具有負壓的像素單元之間的隔離MOS管。
3.根據權利要求2所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，所述負壓視隔離MOS管兩側電場強度而定，為0至-3.3 V。
4.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，所述深層P型摻雜區域的深度為0.05um至1 um。
5.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，所述表面P型摻雜區域的深度不超過0.1 um。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
