[實用新型]硅基應力協變襯底及垂直結構氮化鎵LED

有效

• 申請號: 201922345475.5
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN210897327U
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 魏潔;魏鴻源;陳懷浩;楊少延;楊瑞;李成明;李輝杰;劉祥林;汪連山
• 申請（專利權）人: 南京佑天金屬科技有限公司;中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 常虹

1.硅基應力協變襯底，其特征在于，包括：

一雙面拋光硅單晶基底(11)；

一薄氮化鋯導電反光應力協變層(12)，形成在所述雙面拋光硅單晶基底上，所述薄氮化鋯導電反光應力協變層(12)的厚度為50nm～350nm；

一薄氮化鎵單晶薄膜模板層(13)，形成在所述薄氮化鋯導電反光應力協變層(12)上，所述薄氮化鎵單晶薄膜模板層(13)的厚度不小于所述薄氮化鋯導電反光應力協變層(12)的厚度。

2.根據權利要求1所述的硅基應力協變襯底，其特征在于，所述薄氮化鎵單晶薄膜模板層(13)的厚度為0.5μm～5μm。

3.根據權利要求1所述的硅基應力協變襯底，其特征在于，所述雙面拋光硅單晶基底的直徑包括但不限于2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸、18英寸。

4.垂直結構氮化鎵LED，包括：頂部氧化物透明電極(3)、底部歐姆接觸金屬電極(4)，以及位于頂部氧化物透明電極(3)和底部歐姆接觸金屬電極(4)之間的氮化鎵LED器件結構(2)和硅基應力協變襯底(1)，其特征在于，所述硅基應力協變襯底(1)為權利要求1-3所述的任一項硅基應力協變襯底。

5.根據權利要求4所述的垂直結構氮化鎵LED，其特征在于，所述氮化鎵LED器件結構(2)從硅基應力協變襯底(1)至頂部氧化物透明電極(3)依次為：2～5μm厚n-GaN層(21)、3～9個周期InGaN/GaN多量子阱藍光發光層(22)、50～150nm厚p-GaN層(23)。

6.根據權利要求5所述的垂直結構氮化鎵LED，其特征在于，所述n-GaN層(21)的厚度為2～5μm，所述InGaN/GaN多量子阱藍光發光層(22)為3～9個周期，所述p-GaN層(23)的厚度為50～150nm。

7.根據權利要求4所述的垂直結構氮化鎵LED，其特征在于，所述底部歐姆接觸金屬電極(4)從硅基應力協變襯底(1)至下表面依次為：氮化鋯互擴散阻擋層(41)、金屬鋯電極層(42)、金屬金電極蓋層(43)。

8.根據權利要求7所述的垂直結構氮化鎵LED，其特征在于，所述氮化鋯互擴散阻擋層(41)的厚度為20～200nm，金屬鋯電極層(42)的厚度為50～500nm，金屬金電極蓋層(43)的厚度為50～500nm。