[實用新型]硅異質結太陽電池及疊層透明導電氧化物薄膜

有效

• 申請號: 201922326551.8
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN211828779U
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 王偉;趙曉霞;宮元波;田宏波;宗軍;周永謀;李洋;楊文魁
• 申請（專利權）人: 國家電投集團科學技術研究院有限公司;國家電投集團新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0747
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種用于硅異質結太陽電池的疊層透明導電氧化物薄膜，其特征在于，包括：

氫摻雜氧化銦層；

TCO接觸層，所述TCO接觸層設置在所述氫摻雜氧化銦層的一個表面上。

2.根據權利要求1所述的疊層透明導電氧化物薄膜，其特征在于，所述疊層透明導電氧化物薄膜的厚度為70～120納米。

3.根據權利要求2所述的疊層透明導電氧化物薄膜，其特征在于，所述TCO接觸層的厚度為所述疊層透明導電氧化物薄膜厚度的10％～35％。

4.根據權利要求1所述的疊層透明導電氧化物薄膜，其特征在于，所述TCO接觸層的材料選自氧化銦錫、摻鎢氧化銦、摻鈦氧化銦、氧化銦鋅或摻鈰氧化銦中的任意一種。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的疊層透明導電氧化物薄膜，其特征在于，所述氫摻雜氧化銦層是通過物理氣相沉積或原子層沉積制備的。

6.根據權利要求1～4中任一項所述的疊層透明導電氧化物薄膜，其特征在于，所述TCO接觸層是通過物理氣相沉積或反應等離子體沉積制備的。

7.一種硅異質結太陽電池，其特征在于，包括：

晶硅襯底；

本征非晶硅薄膜，所述本征非晶硅薄膜設置在所述晶硅襯底相對設置的兩個表面上；

摻雜非晶硅薄膜，所述摻雜非晶硅薄膜設置在所述本征非晶硅薄膜遠離所述晶硅襯底的表面上；

權利要求1～6中任一項所述的疊層透明導電氧化物薄膜，其中，所述疊層透明導電氧化物薄膜中的氫摻雜氧化銦層設置在所述摻雜非晶硅薄膜遠離所述晶硅襯底的表面上，所述疊層透明導電氧化物薄膜中的TCO接觸層設置在所述氫摻雜氧化銦層遠離所述晶硅襯底的表面上；

金屬電極，所述金屬電極設置在所述TCO接觸層遠離所述晶硅襯底的表面上。