[實用新型]顯示基板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922325947.0 | 申請日: | 2019-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN210668376U | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金興植;曹鑫;陳竹;劉紅燦;朱亞威 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;劉偉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括位于襯底基板上的開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管,所述開關(guān)薄膜晶體管在所述襯底基板上的正投影與所述驅(qū)動薄膜晶體管在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述開關(guān)薄膜晶體管采用氧化物薄膜晶體管,所述驅(qū)動薄膜晶體管采用低溫多晶硅薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示基板,其特征在于,所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,在所述開關(guān)薄膜晶體管采用氧化物薄膜晶體管,所述驅(qū)動薄膜晶體管采用低溫多晶硅薄膜晶體管時,所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極位于所述氧化物薄膜晶體管的有源層朝向所述襯底基板的一側(cè),且所述有源層在所述襯底基板上的正投影落入所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述開關(guān)薄膜晶體管的源極、漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極同層同材料設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示基板,其特征在于,所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極復(fù)用為所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板,其特征在于,在所述開關(guān)薄膜晶體管采用氧化物薄膜晶體管,所述驅(qū)動薄膜晶體管采用低溫多晶硅薄膜晶體管時,所述開關(guān)薄膜晶體管的有源層位于所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述驅(qū)動薄膜晶體管的有源層位于所述柵極朝向所述襯底基板的一側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述開關(guān)薄膜晶體管的源極、漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極、漏極同層同材料設(shè)置。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-9中任一項所述的顯示基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





