[實用新型]一種磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922313233.8
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN211112196U
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設計）人: 韓相華;徐君;孫永陽
• 申請（專利權(quán)）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁源結(jié)構(gòu)包括陰極靶和磁體組件，所述磁體組件設置于陰極靶下方；

所述磁體組件包括橫向磁體和縱向磁體，所述橫向磁體和縱向磁體交替排列，相鄰的縱向磁體的磁極相反，相鄰的縱向磁體和橫向磁體的磁極相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁體為條形磁體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向磁體在相鄰兩個縱向磁體的間隔區(qū)域內(nèi)沿縱向移動；

所述橫向磁體的移動距離不超過縱向磁體高度的一半。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向磁體與水平方向的夾角為0～5度；

所述縱向磁體與豎直方向的夾角為0～5度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陰極靶為平面圓形靶材和/或平面方形靶材。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述縱向磁體包括中間磁體和環(huán)繞中間磁體的外圈磁體，所述外圈磁體至少設有一圈。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰兩圈外圈磁體之間、所述外圈磁體與中間磁體之間對應設有橫向磁體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁源結(jié)構(gòu)還包括導磁組件，所述導磁組件設置于所述陰極靶的側(cè)上方。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁源結(jié)構(gòu)還包括底座，所述磁體組件設置于底座上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射陰極的磁源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁源結(jié)構(gòu)的四周和底側(cè)設有磁屏蔽層，所述磁屏蔽層不與磁源結(jié)構(gòu)直接接觸。