[實(shí)用新型]一種存儲(chǔ)芯片的低電壓保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922307948.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-19
• 公開（公告）號(hào): CN211150107U
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠州市德賽西威汽車電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C5/14
• 分類號(hào): G11C5/14
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 葉新平

1.一種存儲(chǔ)芯片的低電壓保護(hù)電路，所述存儲(chǔ)芯片(2)連接在供電電源VDD與地之間，設(shè)有寫控制引腳WP，其特征在于，所述低電壓保護(hù)電路包括連接所述寫控制引腳WP、供電電源VDD的電壓檢測(cè)模塊(3)；

當(dāng)所述電壓檢測(cè)模塊(3)檢測(cè)到所述供電電源VDD低于預(yù)設(shè)電壓閾值后，所述電壓檢測(cè)模塊(3)自動(dòng)輸出第一電平信號(hào)至所述存儲(chǔ)芯片(2)的寫控制引腳，所述存儲(chǔ)芯片(2)關(guān)閉自身連接CPU控制器芯片(1)的通訊數(shù)據(jù)端口。

2.如權(quán)利要求1所述的一種存儲(chǔ)芯片的低電壓保護(hù)電路，其特征在于：所述預(yù)設(shè)電壓閾值根據(jù)所述存儲(chǔ)芯片(2)的最低電壓而定。

3.如權(quán)利要求1所述的一種存儲(chǔ)芯片的低電壓保護(hù)電路，其特征在于：所述預(yù)設(shè)電壓閾值等于所述存儲(chǔ)芯片(2)的最低電壓。

4.如權(quán)利要求1所述的一種存儲(chǔ)芯片的低電壓保護(hù)電路，其特征在于：所述電壓檢測(cè)模塊(3)通過自身的高低電平輸出端口連接所述存儲(chǔ)芯片(2)，當(dāng)所述電壓檢測(cè)模塊(3)檢測(cè)到所述供電電源不低于預(yù)設(shè)電壓閾值后，所述電壓檢測(cè)模塊(3)自動(dòng)輸出第二電平信號(hào)至所述存儲(chǔ)芯片(2)的寫控制引腳WP，所述存儲(chǔ)芯片(2)開啟自身連接CPU控制器芯片(1)的通訊數(shù)據(jù)端口。

5.如權(quán)利要求4所述的一種存儲(chǔ)芯片的低電壓保護(hù)電路，其特征在于：所述第一電平信號(hào)為低電平信號(hào)，所述第二電平信號(hào)為高電平信號(hào)。

6.如權(quán)利要求1所述的一種存儲(chǔ)芯片的低電壓保護(hù)電路，其特征在于：所述存儲(chǔ)芯片(2)為NAND FLASH芯片。

7.如權(quán)利要求1所述的一種存儲(chǔ)芯片的低電壓保護(hù)電路，其特征在于：所述存儲(chǔ)芯片(2)的寫控制引腳WP與所述供電電源VDD之間連接有上拉電阻R1。