[實用新型]一種半導體激光器驅動電路及激光雷達

有效

• 申請號: 201922306710.8
• 申請日: 2019-12-19
• 公開（公告）號: CN212571694U
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 范玉強;王泮義
• 申請（專利權）人: 北京萬集科技股份有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體激光器驅動電路，其特征在于，包含：電源模塊，多個高壓單元，多個放電單元以及共陰極半導體陣列激光器，

所述電源模塊連接所述高壓單元，每一所述高壓單元連接一個所述放電單元，各所述放電單元的輸出信號傳輸至所述半導體陣列激光器；

其中，每個所述放電單元包括：放電MOS管Pi，內部集成隔離模塊的MOS管驅動器Ui、隔離電源，所述高壓單元連接所述放電MOS管Pi，所述放電MOS管Pi連接所述內部集成隔離模塊的MOS管驅動器Ui以及所述隔離電源，所述內部集成隔離模塊的MOS管驅動器Ui還連接所述隔離電源，其中，i為正整數。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器驅動電路，其特征在于，所述電源模塊包括：外接電源VCC、外接電源GND以及去耦電容Cin，所述外接電源GND經由所述去耦電容Cin與所述外接電源VCC交匯后分束，每束電源分別與一個所述高壓單元連接。

3.根據權利要求1所述的半導體激光器驅動電路，其特征在于，每個所述高壓單元包括：充電電感Li，充電MOS管Qi，整流二極管Di以及儲能電容Ci，所述電源模塊連接所述充電電感Li的輸出端，所述充電電感Li的輸出端分別連接所述充電MOS管Qi以及整流二極管Di，所述充電MOS管Qi以及整流二極管Di之間連接所述儲能電容Ci，其中，i為正整數。

4.根據權利要求1所述的半導體激光器驅動電路，其特征在于，所述隔離電源包括：隔離電源VCCi以及隔離電源GNDi，所述隔離電源GNDi分別連接所述放電MOS管Pi以及所述內部集成隔離模塊的MOS管驅動器Ui，所述隔離電源VCCi連接所述內部集成隔離模塊的MOS管驅動器Ui，其中，i為正整數。

5.根據權利要求4所述的半導體激光器驅動電路，其特征在于，每一所述隔離電源還包括去耦電容Gi，整流二極管Ei，以及隔離線圈Ti, 所述內部集成隔離模塊的MOS管驅動器Ui通過所述隔離線圈Ti分別連接所述隔離電源VCCi以及隔離電源GNDi，所述隔離電源VCCi與隔離電源GNDi之間設置一去耦電容Gi，所述隔離電源VCCi與所述隔離線圈Ti之間連接一整流二極管Ei。

6.根據權利要求1所述的半導體激光器驅動電路，其特征在于，所述半導體激光器為共陰極半導體陣列激光器。

7.一種激光雷達，其特征在于包括權利要求1-6任意一項所述的一種半導體激光器驅動電路。