[實用新型]一種N型電池結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922273936.2
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN211045452U
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李碩;楊慧;鄧偉偉;蔣方丹
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興阿特斯光伏技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種N型電池結(jié)構(gòu)，包括N型硅體材料及形成于所述N型硅體材料表面的金屬柵線電極，其特征在于，所述N型硅體材料的背面設(shè)有絨面部分及拋光部分，所述金屬柵線電極與N型硅體材料接觸的位置位于所述絨面部分內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，金屬柵線電極與N型硅體材料接觸的位置為絨面，未接觸的位置為拋光面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型電池還包括依次位于所述N型硅體材料正面的pn結(jié)層、鈍化層、減反射層和正面電極，

以及依次位于所述N型硅體材料背面的量子隧穿層、P摻雜的多晶硅層、保護層和金屬柵線電極；

其中，正面電極與鈍化層接觸，金屬柵線電極與P摻雜的多晶硅層接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型硅體材料背面的絨面高度為0.5μm～5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的N型電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述量子隧穿層的厚度在2nm以下，所述P摻雜的多晶硅層的厚度為80nm～120nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的N型電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層為氧化鋁層。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的N型電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述減反射層為氮化硅層、二氧化硅層或碳化硅層中的任意一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的N型電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述量子隧穿層為二氧化硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的N型電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護層為氮化硅層。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的N型電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬柵線電極為銀電極。