[實(shí)用新型]一種功率半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922272453.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN211265483U
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱袁正;周錦程
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫新潔能股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/40
• 分類號(hào): H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;陳麗麗

1.一種功率半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板被劃分為元胞區(qū)和終端保護(hù)區(qū)，所述元胞區(qū)位于所述半導(dǎo)體基板的中心區(qū)，所述終端保護(hù)區(qū)位于所述元胞區(qū)的外圈且環(huán)繞所述元胞區(qū)設(shè)置，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板包括第一導(dǎo)電類型襯底和位于所述第一導(dǎo)電類型襯底上的第一導(dǎo)電類型外延層，所述第一導(dǎo)電類型外延層的表面設(shè)置有第二導(dǎo)電類型體區(qū)；

位于所述元胞區(qū)的所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一類溝槽，所述第一類溝槽的溝槽底部伸入所述第一導(dǎo)電類型外延層內(nèi)；

位于所述終端保護(hù)區(qū)的所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)內(nèi)設(shè)置有至少一根第二類溝槽，所述第二類溝槽的溝槽底部伸入所述第一導(dǎo)電類型外延層內(nèi)；

所述第二類溝槽的上方設(shè)置有金屬場板，所述金屬場板位于所述終端保護(hù)區(qū)內(nèi)，且從靠近所述元胞區(qū)的所述第二類溝槽開始并沿著遠(yuǎn)離所述元胞區(qū)的方向延伸，所述金屬場板至少覆蓋一根所述第二類溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述終端保護(hù)區(qū)內(nèi)設(shè)置柵極金屬，所述柵極金屬與所述金屬場板同層設(shè)置，所述金屬場板連接源極電位。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述終端保護(hù)區(qū)內(nèi)設(shè)置柵極金屬，所述柵極金屬與所述金屬場板同層設(shè)置，所述金屬場板連接?xùn)艠O金屬，且所述金屬場板與所述柵極金屬連接為一體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一類溝槽和所述第二類溝槽的側(cè)壁和底壁均形成有柵氧層，所述第一類溝槽和所述第二類溝槽的內(nèi)部均設(shè)置導(dǎo)電多晶硅，所述第一類溝槽內(nèi)的所述導(dǎo)電多晶硅連接?xùn)艠O電位，所述第二類溝槽內(nèi)的所述導(dǎo)電多晶硅浮空設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，位于所述元胞區(qū)的所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)的表面設(shè)置有第一導(dǎo)電類型源區(qū)，位于所述元胞區(qū)以及所述終端保護(hù)區(qū)的所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)的表面均設(shè)置有絕緣介質(zhì)層，位于所述元胞區(qū)的絕緣介質(zhì)層表面設(shè)置有源極金屬，位于所述終端保護(hù)區(qū)的絕緣介質(zhì)層表面設(shè)置有所述金屬場板；

所述源極金屬通過所述絕緣介質(zhì)層上的通孔與所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)以及所述第一導(dǎo)電類型源區(qū)接觸；

位于終端保護(hù)區(qū)上的所述源極金屬通過所述絕緣介質(zhì)層上的通孔與所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述功率半導(dǎo)體器件包括N型功率半導(dǎo)體器件和P型功率半導(dǎo)體器件，當(dāng)所述功率半導(dǎo)體器件為所述N型功率半導(dǎo)體器件時(shí)，第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型，當(dāng)所述功率半導(dǎo)體器件為所述P型半導(dǎo)體器件時(shí)，第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型。