[實(shí)用新型]一種基于單片機(jī)控制的1x2矩陣型選擇器輸出電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922254004.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN211180589U | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李耀聰;潘葉江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華帝股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G05B19/042 | 分類號(hào): | G05B19/042 |
| 代理公司: | 深圳市合道英聯(lián)專利事務(wù)所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉紅果 |
| 地址: | 528400 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 單片機(jī) 控制 x2 矩陣 選擇器 輸出 電路 | ||
本實(shí)用新型公開了一種基于單片機(jī)控制的1x2矩陣型選擇器輸出電路,其包括三個(gè)互補(bǔ)型三極管單元:第一三極管單元QB1、第二三極管單元QB2、第三三極管單元QB3,所述第一三極管單元QB1、所述第二三極管單元QB2、和所述第三三極管單元QB3共同連接,用于實(shí)現(xiàn)單控制的雙輸出溫度或模式選擇電路。本實(shí)用新型摒棄專用多路選擇輸出芯片電路,降低設(shè)計(jì)過程中的硬件成本,摒棄機(jī)械按鍵式的矩陣型輸出電路,降低機(jī)械抖動(dòng)的缺點(diǎn),基于互補(bǔ)型三級(jí)管的邏輯電路,實(shí)現(xiàn)單I/O控制的雙輸出類型選擇電路,減少雙路輸出的單片機(jī)IO口控制資源,實(shí)現(xiàn)2倍擴(kuò)展矩陣輸出電路,降低成本、電路工作壽命長、精度高,輸出電信號(hào)穩(wěn)定,提升家電類整機(jī)控制板的性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于廚電類電控板技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于單片機(jī)控制的1x2矩陣型選擇器輸出電路。
背景技術(shù)
市場(chǎng)上關(guān)于家電類矩陣型多路選擇輸出電路一般采用以下方式:
1.采用類似74LS153的專用多路選擇輸出芯片,但其具有芯片成本昂貴,矩陣排列輸出類型少,另外需額外占用單片機(jī)過多ADC端口資源等缺點(diǎn)。
2.采用類似機(jī)械按鍵式的矩陣型輸出電路,但其具有按鍵成本昂貴,機(jī)械壽命短、可靠性低等缺點(diǎn)。
以往研發(fā)人員或企業(yè)由于墨守成規(guī)、技術(shù)提升限制而忽略了對(duì)該部分應(yīng)用的創(chuàng)新改善,直接導(dǎo)致產(chǎn)品可靠性低、開發(fā)過程成本高、品牌質(zhì)量下降等客觀現(xiàn)象的發(fā)生。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了解決上述問題,本實(shí)用新型提供一種基于單片機(jī)控制的1x2矩陣型選擇器輸出電路,通過互補(bǔ)型三級(jí)管的連接,降低硬件成本低,實(shí)現(xiàn)占用單片機(jī)資源少及性能優(yōu)的1X2矩陣型選擇輸出電路。
本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:
一種基于單片機(jī)控制的1x2矩陣型選擇器輸出電路,其包括三個(gè)互補(bǔ)型三極管單元:第一三極管單元QB1、第二三極管單元QB2、第三三極管單元QB3,所述第一三極管單元QB1、所述第二三極管單元QB2、和所述第三三極管單元QB3共同連接,用于實(shí)現(xiàn)單控制雙輸出的溫度或模式選擇。
優(yōu)選地,所述溫度或模式選擇電路分別為溫度選擇電阻檢測(cè)輸出或模式選擇電阻檢測(cè)輸出。
優(yōu)選地,所述第一三極管單元QB1、所述第二三極管單元QB2、和所述第三三極管單元QB3共同連接為:輸入端RD_BIN_NTC信號(hào)連接所述第一三極管單元QB1的基極和第三三極管單元QB3的基極,所述第一三極管單元QB1的發(fā)射極連接所述第二三極管單元QB2的發(fā)射極和所述第三三極管單元QB3的發(fā)射極并接電源VDD-UC,所述第一三極管單元QB1的集電極串聯(lián)電阻R_RD_NTC、并聯(lián)電容C8后輸出信號(hào)RD_NTC;
所述第三三極管單元QB3的集電極連接所述第二三極管單元QB2的基極,同時(shí)串聯(lián)電阻R7后接地;所述第二三極管單元QB2的集電極串聯(lián)電阻R_RD_BIN、并聯(lián)電阻C7后輸出信號(hào)RD_BIN。
優(yōu)選地,所述第一三極管單元QB1的電路結(jié)構(gòu)與所述第二三極管單元QB2的電路結(jié)構(gòu)、所述第三三極管單元QB3的電路結(jié)構(gòu)均相同,所述第一三極管單元QB1的電路結(jié)構(gòu)包括三極管QB、電阻RA和電阻RB,所述三極管QB的發(fā)射極串聯(lián)所述電阻RB后連接所述三極管QB的基極,所述三極管QB的基極串聯(lián)所述電阻RA。
優(yōu)選地,所述電阻R_RD_NTC為溫度選擇的回路限流電阻。
優(yōu)選地,所述電阻R_RD_NTC為模式選擇的回路限流電阻。
優(yōu)選地,所述電阻R7為偏置電阻。
優(yōu)選地,所述輸入端RD_BIN_NTC信號(hào)為單片機(jī)輸出的單IO控制信號(hào)。
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