[實用新型]一種六面包覆型芯片尺寸的封裝結構

有效

• 申請號: 201922249227.0
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN211017056U
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 金豆;徐虹;徐霞;陳棟;張黎;張國棟;陳錦輝;賴志明
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 趙華

本實用新型一種六面包覆型芯片尺寸的封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。其包括硅基本體（111）和芯片電極（113），且芯片電極（113）嵌入硅基本體（111）表面，露出芯片電極（113）的正面。在硅基本體（111）表面設置鈍化層（210），且在芯片電極處設置有鈍化層開口（213），所述鈍化層開口（213）的尺寸小于芯片電極（113）的尺寸，且露出芯片電極（113）的正面。主要先完成重現布線層（510），然后進行晶圓重構，完成五面包覆。在完成金屬凸塊（520）后，對所述芯片正面進行包覆，最終實現六面包覆。本實用新型有效隔絕芯片表面介電層Ⅰ與外界環境；另一方面，對介電層Ⅱ表面緩沖應力的同時，還可以支撐金屬凸塊，提高金屬凸塊的可靠性的作用。

技術領域

本實用新型涉及一種六面包覆型芯片尺寸的封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

晶圓級芯片尺寸封裝技術，可以滿足封裝短小輕薄、成本低等優點。但是完成封裝后的芯片封裝體，側壁的硅直接裸露在外界，在存在機械應力或者外界環境變化時，及易受損造成硅破裂、翹曲等問題。

發明內容

本實用新型的目的在于克服上述不足，針對芯片表面包覆不均勻、翹曲等問題，提供了一種六面包覆型芯片尺寸的封裝結構。

本實用新型的目的是這樣實現的：

本實用新型一種包覆型芯片尺寸的封裝結構，其包括硅基本體和芯片電極，且芯片電極嵌入硅基本體表面，露出芯片電極正面，在所述硅基本體表面設置鈍化層，且在芯片電極處設置有鈍化層開口，所述鈍化層開口尺寸小于芯片電極尺寸，且露出芯片電極的正面。

所述鈍化層上覆蓋介電層Ⅰ，且與鈍化層開口處設置介電層Ⅰ開口，所述介電層Ⅰ開口的尺寸小于鈍化層開口的尺寸，所述介電層Ⅰ的覆蓋面積小于鈍化層的面積并露出鈍化層的邊緣，在所述介電層Ⅰ上覆蓋金屬種子層Ⅰ，再在所述金屬種子層Ⅰ上覆蓋再布線金屬層；

在所述再布線金屬層上覆蓋介電層Ⅱ，且在所需位置處相應設置介電層Ⅱ開口，所述介電層Ⅱ的側面與介電層Ⅰ的側面齊平，在所述介電層Ⅱ開口處依次設置金屬種子層Ⅱ和金屬凸塊，所述金屬凸塊上設置焊球；

還包括包覆層Ⅰ和包覆層Ⅱ，所述包覆層Ⅰ設置于硅基本體的四周和背面，其上表面向上延展與介電層Ⅱ的上表面齊平，所述包覆層Ⅱ覆蓋介電層Ⅱ和包覆層Ⅰ的上表面，其上表面與金屬凸塊的上表面齊平。

可選地，所述包覆層Ⅰ與包覆層Ⅱ是一體結構，將硅基本體的六個面包覆其中。

可選地，還包括硅基加強層，所述硅基加強層設置在包覆層Ⅰ的背面。

可選地，所述金屬種子層Ⅰ包括下層的黏附、阻擋層和上層的銅金屬種子層。

可選地，所述金屬種子層Ⅱ包括下層的黏附、阻擋層和上層的銅金屬種子層。

有益效果

本實用新型可以實現芯片的側壁及底部包覆，以及芯片的上表面包覆，最終實現六面包覆，可以有效降低翹曲，在制作重新布線層等工藝流程中，重構晶圓背部始終存在硅支撐載體，不存在CTE不匹配的問題，無需調整翹曲。

附圖說明

圖1為本實用新型一種包覆型芯片尺寸的封裝結構的實施例的剖面示意圖；

圖2為圖1的變形；

其中：

晶圓100

硅基本體111

芯片電極113

包覆層Ⅰ123

包覆層Ⅱ132

鈍化層210

鈍化層開口213