[實用新型]一種基于自適應偏置的CMOS跨導單元電路

有效

• 申請號: 201922246422.8
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN211089594U
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 白春風;趙文翔;湯雁婷;喬東海
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H03F1/42
• 分類號: H03F1/42;H03F3/45
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251
• 代理人: 陸金星

1.一種基于自適應偏置的CMOS跨導單元電路，其特征在于，包括跨導單元主體電路和自適應偏置電流源；

所述跨導單元主體電路包括PMOS管M1a、PMOS管M2a、PMOS管M3a、PMOS管M1b、PMOS管M2b、PMOS管M3b、電阻2R1、電流源I1a和電流源I1b；所述自適應偏置電流源包括PMOS管M4a、與PMOS管M4a匹配的PMOS管M5a、PMOS管M6a、PMOS管M7a、PMOS管M4b、與PMOS管M4b匹配的PMOS管M5b、PMOS管M6b、PMOS管M7b、電流源I2a、電流源I3a、電流源I2b和電流源I3b，其中PMOS管M1a與PMOS管M1b鏡像對稱，PMOS管M2a與PMOS管M2b鏡像對稱，PMOS管M3a與PMOS管M3b鏡像對稱，PMOS管M4a與PMOS管M4b鏡像對稱，PMOS管M5a與PMOS管M5b鏡像對稱、PMOS管M6a與PMOS管M6b鏡像對稱、PMOS管M7a與PMOS管M7b鏡像對稱；

所述PMOS管M4a的源極、PMOS管M5a的源極、PMOS管M4b的源極、PMOS管M5b的源極、電流源I3a的輸入端和電流源I3b的輸入端均接電源VDD；PMOS管M2a的源極、PMOS管M3a的源極、PMOS管M2b的源極、PMOS管M3b的源極、電流源I1a的輸出端、電流源I2a的輸出端、電流源I1b的輸出端和電流源I2b的輸出端均接地；

所述PMOS管M4a的柵極和PMOS管M5a的柵極相連并連接PMOS管M7a的漏極和電流源I3a的輸出端；PMOS管M5a的漏極連接PMOS管M6a的源極，PMOS管M6a的柵極接PMOS管M1a的柵極和輸入電壓Vin+，PMOS管M6a的漏極接PMOS管M7a的源極和電流源I2a的輸入端；PMOS管M1a的源極接PMOS管M2a的漏極和PMOS管M4a的漏極，PMOS管M1a的漏極接電流源I1a的輸入端、PMOS管M2a的柵極和PMOS管M3a的柵極，PMOS管M3a的漏極為電流輸出端Iout+；

所述PMOS管M4b的柵極和PMOS管M5b的柵極相連并連接PMOS管M7b的漏極和電流源I3b的輸出端；PMOS管M5b的漏極連接PMOS管M6b的源極，PMOS管M6b的柵極接PMOS管M1b的柵極和輸入電壓Vin-，PMOS管M6b的漏極接PMOS管M7b的源極和電流源I2b的輸入端；PMOS管M1b的源極接PMOS管M2b的漏極和PMOS管M4b的漏極，PMOS管M1b的漏極接電流源I1b的輸入端、PMOS管M2b的柵極和PMOS管M3b的柵極，PMOS管M3b的漏極為電流輸出端Iout-；

所述PMOS管M1a與PMOS管M4a的連接路徑和PMOS管M1b與PMOS管M4b的連接路徑之間設有電阻2R1，同時PMOS管M7a的柵極和PMOS管M7b的柵極接偏置電壓Vbias1。

2.根據權利要求1所述的基于自適應偏置的CMOS跨導單元電路，其特征在于，所述PMOS管M1a與PMOS管M6a的尺寸比例等于電流源I1a的偏置電流與電流源I2a和電流源I3a的偏置電流之差的比值。

3.根據權利要求1所述的基于自適應偏置的CMOS跨導單元電路，其特征在于，所述PMOS管M1b與PMOS管M6b的尺寸比例等于電流源I1b的偏置電流與電流源I2b和電流源I3b的偏置電流之差的比值。