[實(shí)用新型]一種充電雙重保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922245042.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN210957863U
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳軍良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武義精宏電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H02J7/00
• 分類號(hào): H02J7/00;H02H7/18
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種充電雙重保護(hù)電路，包括控制芯片組、充放電控制開關(guān)、電池參數(shù)采集電路以及充電二級(jí)保護(hù)電路，其特征在于：所述控制芯片組分別連接至充放電控制開關(guān)、電池組、電池參數(shù)采集電路以及二級(jí)保護(hù)電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電雙重保護(hù)電路，其特征在于，所述充放電控制電路包括串聯(lián)連接在充電電源與電池組正極之間的充電開關(guān)Q1和Q2,所述Q1和Q2均為P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，Q1的漏極與Q2的源極串聯(lián)，Q1的源極接入充電電源，Q2的漏極接入電池組正極，并在所述Q1和Q2的源極和漏極上并聯(lián)穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)壓二極管的陰極均接入Q1和Q2的源極，陽(yáng)極接入Q1和Q2的漏極，所述Q2的漏極接入電池組的負(fù)極B-。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電雙重保護(hù)電路，其特征在于，所述電池參數(shù)采集電路并聯(lián)于所述電池組上，采用MAX1906芯片，用于采集電池的充放電電流以及電池電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電雙重保護(hù)電路，其特征在于，所述控制芯片組包括可充電電池保護(hù)控制芯片BM3451，用于檢測(cè)各節(jié)電池的電壓、充電電流以及環(huán)境溫度信息實(shí)現(xiàn)電池過(guò)充過(guò)放短路的功能，其電壓輸入端VC1-VC5分別接入電池組各節(jié)電池的正極端，檢測(cè)當(dāng)前電池的電壓以及充電電流狀況，所述可充電電池保護(hù)控制芯片BM3451的輸出管腳CO通過(guò)三極管接入Q1的柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電雙重保護(hù)電路，其特征在于，所述二級(jí)保護(hù)電路包括二級(jí)充電保護(hù)芯片BM3051A，其中，所述二級(jí)充電保護(hù)芯片BM3051A的VC1-VC5管腳分別連接至可充電電池保護(hù)控制芯片BM3451的VC1-VC5管腳，二級(jí)重點(diǎn)保護(hù)芯片BM3051A的VCC管腳接入可充電電池保護(hù)控制芯片BM3451的級(jí)聯(lián)控制輸入管腳DOIN和COIN。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電雙重保護(hù)電路，其特征在于，所述充電二級(jí)保護(hù)電路還包括一級(jí)充電保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q7和二級(jí)充電保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q6，其中所述一級(jí)充電保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q7為P型MOSFET，所述二級(jí)充電保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 Q6為N型MOSFET。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的充電雙重保護(hù)電路，其特征在于，所述二級(jí)充電保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q7的柵極接入所述二級(jí)充電保護(hù)芯片BM3051A的高電平輸出管腳CO，源極接入電池組負(fù)極B-，漏極通過(guò)電阻與一級(jí)重點(diǎn)保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q7的柵極連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電雙重保護(hù)電路，其特征在于，所述電池組的每一節(jié)鋰電池的正極與可充電電池保護(hù)控制芯片BM3451芯片的VC1-VC5管腳之間分別接入阻容并聯(lián)電路，同時(shí)在所述可充電電池保護(hù)控制芯片BM3451的系統(tǒng)電壓管腳VCC與電池組正極B+之間反向接入二極管。