[實用新型]一種基于交叉耦合結構的太赫茲探測器

有效

• 申請號: 201922238250.X
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN211626680U
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 吳淘鎖;白紅梅
• 申請（專利權）人: 呼倫貝爾學院
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42;H03H11/28
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 吳學穎

1.一種基于交叉耦合結構的太赫茲探測器，包括天線，其特征在于，所述天線分別經一號匹配網絡、二號匹配網絡連接至一號MOS場效應晶體管(M1)柵極、二號MOS場效應晶體管(M2)柵極，所述一號MOS場效應晶體管(M1)和二號MOS場效應晶體管(M2)的源極均接地，所述一號MOS場效應晶體管(M1)漏極和二號MOS場效應晶體管(M2)漏極分別經四號微帶傳輸線(TL4)、八號微帶傳輸線(TL8)連接至信號輸出端口，所述一號MOS場效應晶體管(M1)漏極經一號電容(C1)連接二號MOS場效應晶體管(M2)柵極，所述二號MOS場效應晶體管(M2)漏極經二號電容(C2)連接一號MOS場效應晶體管(M1)柵極。

2.根據權利要求1所述的基于交叉耦合結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述天線采用差分貼片天線。

3.根據權利要求1所述的基于交叉耦合結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述四號微帶傳輸線(TL4)和八號微帶傳輸線(TL8)均采用相同的四分之一波長的傳輸線，其阻抗特性和長度均相同。

4.根據權利要求1所述的基于交叉耦合結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述一號匹配網絡包括一號微帶傳輸線(TL1)、二號微帶傳輸線(TL2)、三號微帶傳輸線(TL3)，所述一號微帶傳輸線(TL1)一端連接天線，另一端經二號微帶傳輸線(TL2)接地，所述三號微帶傳輸線(TL3)一端連接一號MOS場效應晶體管(M1)柵極，另一端經二號微帶傳輸線(TL2)接地。

5.根據權利要求1所述的基于交叉耦合結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述二號匹配網絡包括五號微帶傳輸線(TL5)、六號微帶傳輸線(TL6)、七號微帶傳輸線(TL7)，所述五號微帶傳輸線(TL5)一端連接天線，另一端經六號微帶傳輸線(TL6)接地，所述七號微帶傳輸線(TL7)一端連接二號MOS場效應晶體管(M2)柵極，另一端經六號微帶傳輸線(TL6)接地。

6.根據權利要求4所述的基于交叉耦合結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述一號微帶傳輸線(TL1)與五號微帶傳輸線(TL5)的阻抗特性和長度均相同，所述二號微帶傳輸線(TL2)與六號微帶傳輸線(TL6)的阻抗特性和長度均相同，所述三號微帶傳輸線(TL3)與七號微帶傳輸線(TL7)的阻抗特性和長度均相同。

7.根據權利要求4或5所述的基于交叉耦合結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述一號MOS場效應晶體管(M1)和二號MOS場效應晶體管(M2)相同，尺寸大小相等。

8.根據權利要求4或5所述的基于交叉耦合結構的太赫茲探測器，其特征在于，所述一號電容(C1)和二號電容(C2)相同，容值大小相等。