[實用新型]顯示基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201922237251.2
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN210607259U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 許晨;郝學光;喬勇;吳新銀
• 申請（專利權）人: 北京京東方技術開發有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 曲鵬;解婷婷

本實用新型提供了一種顯示基板和顯示裝置。顯示基板包括包括在基底上疊設的第一金屬層、第一絕緣層、金屬氧化物層、第二絕緣層和第二金屬層；金屬氧化物層包括第一圖形、第二圖形和電容圖形，第一金屬層包括第一極板，第一極板與所述電容圖形至少存在第一交疊區域，以形成第一存儲電容，第二金屬層包括第二極板，所述第二極板與電容圖形至少存在第二交疊區域，以形成第二存儲電容，第一極板和第二極板的電位相同。本實用新型通過金屬氧化物層與第一極板和第二極板分別形成并聯的第一存儲電容和第二存儲電容，有效增大了存儲電容的容量，在保證顯示品質的前提下，有效增大存儲電容容量，有利于實現高分辨率顯示。

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，具體涉及一種顯示基板和顯示裝置。

背景技術

有機發光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有超薄、大視角、主動發光、高亮度、發光顏色連續可調、成本低、響應速度快、低功耗、工作溫度范圍寬及可柔性顯示等優點，已逐漸成為極具發展前景的下一代顯示技術。依據驅動方式的不同，OLED可分為無源矩陣驅動(Passive Matrix，PM)型和有源矩陣驅動(Active Matrix，AM)型兩種，其中AMOLED是電流驅動器件，采用獨立的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)控制每個子像素，每個子像素皆可以連續且獨立的驅動發光。

對于AMOLED，從一幀的數據寫入到下一幀的數據寫入，驅動晶體管的柵電極電壓由存儲電容來維持。由于晶體管存在漏電流，存儲電容所存儲的電壓會逐漸減小，造成晶體管的柵電極電位改變，進而影響到流過有機電致發光二極管的電流，影響子像素的發光亮度。為此，通常將存儲電容的容量設計得足夠大來增加電壓的持續時間。

但隨著高分辨率(PPI)顯示技術的發展，像素尺寸越來越小，布圖空間縮小導致設置存儲電容的空間更為緊張，嚴重限制了存儲電容容量的增加。雖然相關技術提出了一些解決方案，但這些解決方案均存在降低顯示品質的缺陷。

實用新型內容

本實用新型實施例所要解決的技術問題是，提供一種顯示基板和顯示裝置，在保證顯示品質的前提下有效增大存儲電容容量。

為了解決上述技術問題，本實用新型實施例提供了一種顯示基板，包括基底以及在所述基底上設置的多個對應不同顏色的子像素，所述每個子像素包括像素驅動電路和電連接所述像素驅動電路的有機電致發光二極管；

所述像素驅動電路包括第一晶體管，第二晶體管和存儲電容，所述第一晶體管的柵電極耦接于第一掃描線，所述第一晶體管的第一極耦接于數據線，所述第一晶體管的第二極耦接于所述第二晶體管的柵電極；所述第二晶體管的第一極耦接于第一電源電壓線，所述第二晶體管的第二極耦接于所述有機電致發光二極管的第一極，所述有機電致發光二極管的第二極耦接于第二電源電壓線；所述存儲電容的第一極與所述第二晶體管的柵電極耦接，所述存儲電容的第二極與所述第二晶體管的第二極耦接，所述存儲電容用于存儲所述第二晶體管的柵電極的電位；

在垂直于所述基底的方向上，所述顯示基板包括疊設的第一金屬層、第一絕緣層、金屬氧化物層、第二絕緣層和第二金屬層；

所述金屬氧化物層包括第一圖形、第二圖形和電容圖形，所述第一圖形作為所述第一晶體管的有源層，所述第二圖形作為所述第二晶體管的有源層，所述電容圖形作為所述存儲電容的第一極；

所述第一金屬層包括第一極板，所述第一極板在基底上的正投影與所述電容圖形在基底上的正投影至少存在第一交疊區域，以形成第一存儲電容；

所述第二金屬層包括第二極板，所述第二極板在基底上的正投影與所述電容圖形在基底上的正投影至少存在第二交疊區域，以形成第二存儲電容；

所述第一極板和第二極板的電位相同。

可選地，所述第二圖形在基底上的正投影與第一極板在基底上的正投影存在交疊區域。