[實(shí)用新型]一種導(dǎo)磁效果好的揚(yáng)聲器華司有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922227981.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210958781U | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐銀飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州眾進(jìn)五金制品有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04R9/06 | 分類號(hào): | H04R9/06;H04R9/02 |
| 代理公司: | 蘇州六一專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32314 | 代理人: | 梁美珠 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 效果 揚(yáng)聲器 | ||
本實(shí)用新型公開了一種導(dǎo)磁效果好的揚(yáng)聲器華司,包括磁體和T鐵,所述磁體安裝在T鐵上端外壁上,所述磁體上端外壁上設(shè)置有下華司,所述下華司上端外壁上設(shè)置有上華司,所述上華司的內(nèi)部設(shè)置有芯柱,所述磁體上端外壁內(nèi)部設(shè)置有固定槽,需要改變?nèi)A司厚度時(shí),可將上華司固定在下華司的上端,需要先將膠水涂抹在下華司內(nèi)部的卡槽中,接著將上華司放置在上華司的正下側(cè),接著將上華司穿過芯柱并固定在下華司的上端,同時(shí)連接柱固定在圓孔中,此時(shí)卡塊正好卡在卡槽,又通過膠水進(jìn)行固定,讓華司的厚度得以增大,這樣就能滿足支架外形尺寸及安裝尺寸的需求,而且通過卡塊卡在卡槽中,同時(shí)避免了上華司出現(xiàn)旋轉(zhuǎn)移位的情況。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于揚(yáng)聲器相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種導(dǎo)磁效果好的揚(yáng)聲器華司。
背景技術(shù)
華司,是彈簧墊片的俗稱,英文為彈簧墊片,一般廠家會(huì)管叫“華司”,屬于緊固件,是標(biāo)準(zhǔn)件的一種,外磁式喇叭中的華司作用是導(dǎo)磁,所以又稱導(dǎo)磁板,它必須是含碳量很低的低碳鋼以降低磁阻,它通常與T鐵、磁體構(gòu)成磁路,華司與T鐵的芯柱形成磁間隙,提供音圈運(yùn)動(dòng)所需要的均勻磁場(chǎng);支架外形尺寸及安裝尺寸應(yīng)能滿足需求,除此之外還需考慮鼓紙、彈波、華司等尺寸選擇與配合問題,大功率低頻率的揚(yáng)聲器支架有效高、底高、彈波接著徑、華司鉚接徑等均較大。
現(xiàn)有的揚(yáng)聲器華司技術(shù)存在以下問題:現(xiàn)有的華司結(jié)構(gòu)通常采用粘結(jié)或者嵌入外殼的注塑過程中,來實(shí)現(xiàn)華司結(jié)構(gòu)固定在外殼上,但仍存在華司固定不穩(wěn)定,容易脫落的問題;而且它的厚度和音圈繞寬的配合決定了喇叭的低音失真的大小,沒有華司意味著沒有均勻磁場(chǎng),喇叭不會(huì)有較高的靈敏度和較低的失真,這樣的喇叭聲音不會(huì)很好。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種導(dǎo)磁效果好的揚(yáng)聲器華司,以解決上述背景技術(shù)中提出現(xiàn)有的華司固定方式不穩(wěn)定易脫落且難以改變其厚度的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種導(dǎo)磁效果好的揚(yáng)聲器華司,包括磁體和T鐵,所述磁體安裝在T鐵上端外壁上,所述磁體上端外壁上設(shè)置有下華司,所述下華司上端外壁上設(shè)置有上華司,所述上華司的內(nèi)部設(shè)置有芯柱,所述磁體上端外壁內(nèi)部設(shè)置有固定槽,所述固定槽的上端內(nèi)壁內(nèi)部設(shè)置有定位槽,所述下華司下端外壁上設(shè)置有連接柱,所述連接柱圓周外壁上設(shè)置有卡塊,所述下華司的內(nèi)部設(shè)置有圓孔,所述圓孔圓周內(nèi)壁內(nèi)部設(shè)置有卡槽,所述上華司的內(nèi)部設(shè)置有圓槽,所述下華司下端外壁上設(shè)置有固定塊,所述固定塊下端外壁上設(shè)置有定位塊。
優(yōu)選的,所述連接柱通過焊接方式和上華司固定連接,所述圓槽最下端穿過上華司設(shè)置在連接柱下端外壁內(nèi)部。
優(yōu)選的,所述磁體的內(nèi)部設(shè)置有通孔,所述芯柱設(shè)置在通孔的內(nèi)部。
優(yōu)選的,所述芯柱最下端穿過上華司、下華司和磁體設(shè)置在T鐵上端外壁上,所述圓槽和圓孔的直徑均大于芯柱的直徑。
優(yōu)選的,所述上華司和下華司的直徑相同,所述連接柱的高度和下華司的高度相同。
優(yōu)選的,所述定位槽為十字槽結(jié)構(gòu),所述定位塊為十字塊結(jié)構(gòu),所述定位塊設(shè)置在定位槽的內(nèi)部。
優(yōu)選的,所述卡塊為豎向長條凸塊結(jié)構(gòu),所述卡槽為豎向凹槽結(jié)構(gòu),所述卡塊的高度和卡槽的高度相同。
優(yōu)選的,所述固定塊為圓形環(huán)狀結(jié)構(gòu),所述固定塊設(shè)置在固定槽的內(nèi)部。
與現(xiàn)有揚(yáng)聲器華司技術(shù)相比,本實(shí)用新型提供了一種導(dǎo)磁效果好的揚(yáng)聲器華司,具備以下有益效果:
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