[實用新型]一種薄膜晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922204423.6 | 申請日： | 2019-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN211265487U | 公開（公告）日： | 2020-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉榮躍;丁慶;王鑫 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市太赫茲科技創(chuàng)新研究院有限公司;華訊方舟科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人： | 胡鵬飛 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 | ||
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括襯底、柵電極層、介電層、有源層、源極以及漏極；所述柵電極層設(shè)于所述襯底上，所述介電層設(shè)于所述柵電極層表面，所述有源層設(shè)于所述介電層表面；其中，所述有源層包括第一有源層和第二有源層，所述第一有源層的費米能級與所述第二有緣層的費米能級不同；所述第一有源層的下表面與所述介電層接觸，所述第一有源層的上表面與所述第二有源層接觸，所述第一有源層的上表面上設(shè)有多個間隔設(shè)置的第一有源層凸起，所述源極和所述漏極互不接觸地分別設(shè)于所述第二有源層的上表面的相對兩側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一有源層為銦錫鋅氧化物，所述第二有源層為銦鎵鋅氧化物。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，多個所述第一有源層凸起周期性排列于所述第一有源層的上表面，所述第二有源層的下表面部分嵌入至相鄰的所述第一有源層凸起所形成的凹槽中。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一有源層凸起呈正方形、長方形、三角形以及球形中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，多個所述第一有源層凸起與所述第一有源層一體成型，所述第一有源層的上表面呈鋸齒狀。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述介電層包括氧化鋁、二氧化硅或者氮化硅/二氧化硅疊層中的至少一項。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述襯底為鈉鈣基或硅硼基基片玻璃，所述柵電極層為氧化銦錫。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一有源層的厚度小于所述第二有源層的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和所述漏極為氧化銦錫。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極的厚度為100-500nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
