[實用新型]碳化硅外延生長用石墨盤基座有效
| 申請號： | 201922201374.0 | 申請日： | 2019-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN211005719U | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發明（設計）人： | 鈕應喜;左萬勝;郗修臻;張曉洪;劉錦錦;劉洋;史田超;章學磊 | 申請（專利權）人： | 啟迪新材料（蕪湖）有限公司;蕪湖啟迪半導體有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B25/18 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱順利 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市弋江區*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 外延 生長 石墨 基座 | ||
1.碳化硅外延生長用石墨盤基座，包括基座本體和用于生長外延片的口袋，基座本體的頂面包括第一上表面，基座本體的底面包括第一下表面，口袋設置于第一上表面上，其特征在于：所述第一上表面和所述第一下表面均為圓錐面，第一上表面和第一下表面的錐度大小相同且第一上表面的母線與第一下表面的母線相平行。
2.根據權利要求1所述的碳化硅外延生長用石墨盤基座，其特征在于：所述第一上表面的大徑端與所述基座本體的外壁面的上端相連接，所述第一下表面的大徑端與所述基座本體的外壁面的下端相連接，基座本體的外壁面為圓柱面。
3.根據權利要求1或2所述的碳化硅外延生長用石墨盤基座，其特征在于：所述第一上表面的錐度為1～2℃。
4.根據權利要求3所述的碳化硅外延生長用石墨盤基座，其特征在于：所述第一上表面的錐度為1.5℃。
5.根據權利要求1或2所述的碳化硅外延生長用石墨盤基座，其特征在于：所述口袋的數量不少于2個。
6.根據權利要求1或2所述的碳化硅外延生長用石墨盤基座，其特征在于：所述口袋的直徑不小于80mm。
7.根據權利要求1或2所述的碳化硅外延生長用石墨盤基座，其特征在于：所述口袋底部凹大于或等于10μm且小于或等于50μm。
8.根據權利要求1或2所述的碳化硅外延生長用石墨盤基座，其特征在于：所述口袋的深度大于或等于100μm且小于或等于1000μm。
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