[實用新型]IGBT模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922185711.1 | 申請日： | 2019-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN210984736U | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曹新明;陶少勇;溫世達;呂磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽瑞迪微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L23/488 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱順利 |
| 地址： | 241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | igbt 模塊 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.IGBT模塊，包括鋁基板和引腳，其特征在于：所述引腳包括與所述鋁基板焊接的第一連接部、與第一連接部連接的第二連接部和與第二連接部連接且與第一連接部相平行的第三連接部，第一連接部的長度為1.8mm，第二連接部與第三連接部之間的夾角為120°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT模塊，其特征在于：所述鋁基板包括鋁層、設(shè)置于鋁層上的絕緣層和設(shè)置于絕緣層上的銅層，所述第一連接部與銅層焊接。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
