[實用新型]功率檢測器

有效

• 申請號: 201922184364.0
• 申請日: 2019-12-09
• 公開（公告）號: CN210405325U
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 田彤;伍錫安;袁圣越
• 申請（專利權）人: 江蘇微遠芯微系統技術有限公司
• 主分類號: H04B17/10
• 分類號: H04B17/10;H04B17/20
• 代理公司: 上海驍象知識產權代理有限公司 31315
• 代理人: 趙峰

1.一種功率檢測器，其特征在于，包括：信號衰減單元、功率檢測單元和加法運算單元；

所述功率檢測單元的輸入端通過所述信號衰減單元接入待測信號或所述功率檢測單元的輸入端直接接入所述待測信號，所述功率檢測單元的輸出端與所述加法運算單元連接。

2.根據權利要求1所述的功率檢測器，其特征在于，所述信號衰減單元采用電容陣列，所述電容陣列包括電容組，且所述功率檢測單元的數量與所述電容組的數量相等；所述電容組包括第一電容和第二電容，所述第一電容的電容值與所述第二電容的電容值的比值為預設比例。

3.根據權利要求2所述的功率檢測器，其特征在于，所述第一電容的一端接入所述待測信號，所述第一電容的另一端與所述第二電容一端連接，且所述第一電容的另一端輸出衰減信號，并將所述衰減信號輸入至所述功率檢測單元，所述第二電容的另一端接地。

4.根據權利要求2所述的功率檢測器，其特征在于，所述電容陣列一端接入所述待測信號，另一端輸出衰減信號，并將所述衰減信號輸入至所述功率檢測單元；所述電容組相互之間串聯連接，且兩個所述電容組的連接處輸出另一衰減信號，并將另一所述衰減信號輸入至另一功率檢測單元。

5.根據權利要求4所述的功率檢測器，其特征在于，所述電容陣列包括兩個電容組，分別為第一電容組和第二電容組；所述第一電容組的第一電容的一端接入所述待測信號，所述第一電容組的第一電容的另一端分別與所述第一電容組的第二電容的一端、另一所述功率檢測單元、所述第二電容組的第一電容的一端連接，所述第二電容組的第一電容的另一端分別與所述第二電容組的第二電容的一端、所述功率檢測單元連接，所述第一電容組的第二電容的另一端及所述第二電容組的第二電容的另一端均接地。

6.根據權利要求1所述的功率檢測器，其特征在于，所述功率檢測單元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一電阻和兩個第二電阻；

所述第一NMOS管的柵極接入衰減信號，并與一個所述第二電阻的一端連接，一個所述第二電阻的另一端接入第一電壓，所述第一NMOS管的源極接地，所述第一NMOS管的漏極分別與所述第一PMOS管的源極、所述第二PMOS管的源極連接；

所述第二NMOS管的柵極與另一所述第二電阻的一端連接，另一所述第二電阻的另一端接入第一電壓，所述第二NMOS管的源極接地，所述第二NMOS管的漏極與所述第四PMOS管的源極連接；

所述第一PMOS管的柵極與所述第四PMOS管的柵極連接，且連接處與所述第四PMOS管的源極連接；所述第二PMOS管的柵極與所述第三PMOS管的柵極連接，且連接處與所述第二PMOS管的源極連接；所述第一PMOS管的漏極、所述第二PMOS管的漏極、所述第三PMOS管的漏極、所述第四PMOS管的漏極均接入第二電壓；所述第三PMOS管的源極產生輸出信號，并與所述第一電阻的一端連接，所述第一電阻的另一端接地。

7.根據權利要求6所述的功率檢測器，其特征在于，所述第一PMOS管與所述第四PMOS管的物理尺寸比例為1:1；所述第二PMOS管與所述第三PMOS管的物理尺寸比例為1：N，N為預設值。

8.根據權利要求6所述的功率檢測器，其特征在于，所述第一電阻的阻值保證所述第三PMOS管工作在飽和區。

9.根據權利要求1所述的功率檢測器，其特征在于，所述功率檢測單元的數量至少為二。

10.根據權利要求1所述的功率檢測器，其特征在于，所述加法運算單元包括運算放大器、第三電阻和第四電阻；

所述運算放大器的同相輸入端分別通過第五電阻接入輸出信號，反相輸入端分別與所述第三電阻的一端、所述第四電阻的一端的連接，所述第三電阻的另一端接地，所述第四電阻的另一端與所述運算放大器的輸出端連接，所述運算放大器的輸出端產生最后的輸出信號。