[實用新型]太陽能電池片的無縫隙傳輸裝置有效
| 申請號: | 201922183724.5 | 申請日: | 2019-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN210805725U | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發明(設計)人: | 梅有明;戴寶駒;陳建華 | 申請(專利權)人: | 揚州朗日新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市夏成專利事務所(普通合伙) 32233 | 代理人: | 姜佩娟 |
| 地址: | 225800 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 縫隙 傳輸 裝置 | ||
本實用新型涉及傳輸裝置的技術領域,尤其涉及一種太陽能電池片的無縫隙傳輸裝置。這種太陽能電池片的無縫隙傳輸裝置包括載具、裝載腔、加速段和沉積區,裝載腔連接加速段,加速段連接沉積區,裝載腔、加速段和沉積區內設有傳輸裝置,載具置于傳輸裝置上,所述裝載腔兩側設有門閥一和門閥二,裝載腔內設有傳感器一,加速段內設有傳感器二,所述沉積區底部設有位置點。通過這種無縫隙傳輸系統,載滿硅片的載具在通過工藝腔體時,載具上第一排、末排產品不再有邊緣效應,提升了硅片的鍍膜或蝕刻均勻性。
技術領域
本實用新型涉及一種傳輸裝置,尤其涉及一種太陽能電池片的無縫隙傳輸裝置。
背景技術
in-line CVD鍍膜設備、in-line RIE干法蝕刻設備是當前太陽能電池片制造工藝中主要高效成膜及干法制絨設備。目前的in-line CVD鍍膜設備、in-line RIE干法蝕刻設備,載具在通過工藝腔時,載具間存在間隙,影響工藝腔工藝氣體氛圍,這會導致載具上的產品有邊緣效應,影響產品鍍膜或者蝕刻的均勻一致性。
發明內容
本實用新型要解決的技術問題是:傳統工藝設備制作過程中,載具在通過工藝腔時,載具間存在間隙,影響工藝腔工藝氣體氛圍,這會導致載具上的產品有邊緣效應,影響產品鍍膜或者蝕刻的均勻一致性,提供一種太陽能電池片的無縫隙傳輸裝置。
為了克服背景技術中存在的缺陷,本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:這種太陽能電池片的無縫隙傳輸裝置包括載具、裝載腔、加速段和沉積區,裝載腔連接加速段,加速段連接沉積區,裝載腔、加速段和沉積區內設有傳輸裝置,載具置于傳輸裝置上,所述裝載腔兩側設有門閥一和門閥二,裝載腔內設有傳感器一,加速段內設有傳感器二,所述沉積區底部設有位置點。
根據本發明的另一個實施例,進一步包括所述傳感器一置于裝載腔內傳輸裝置的末端處。
根據本發明的另一個實施例,進一步包括所述傳感器二置于加速段內傳輸裝置的末端處。
根據本發明的另一個實施例,進一步包括所述載具前端上部凸出、后端下部凹進。
根據本發明的另一個實施例,進一步包括所述載具的凸出和凹進處設有緩沖材料。
本實用新型的有益效果是:通過這種無縫隙傳輸系統,載滿硅片的載具在通過工藝腔體時,載具上第一排、末排產品不再有邊緣效應,提升了硅片的鍍膜或蝕刻均勻性。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
圖1是本實用新型的結構示意圖;
圖2是本實用新型載具的結構示意圖;
其中:1、門閥一,2、裝載腔,3、載具,4、傳感器一,5、門閥二,6、加速段,7、傳感器二,8、位置點,9、沉積區。
具體實施方式
圖1是本實用新型的結構示意圖,包括載具3、裝載腔2、加速段6和沉積區9,裝載腔2連接加速段6,加速段6連接沉積區9,裝載腔2、加速段6和沉積區9內設有傳輸裝置,載具3置于傳輸裝置上,如圖2所示,載具3的前端上部凸出、后端下部凹進,并且凸出和凹進處設有緩沖材料,緩沖材料可以是Teflon材料。
裝載腔2兩側放置門閥一1和門閥二5,裝載腔2內設有傳感器一4,傳感器一4置于裝載腔2內傳輸裝置的末端處。加速段6內設有傳感器二7,傳感器二7置于加速段6內傳輸裝置的末端處。沉積區9底部設有位置點8。
在加工過程中,首先在裝載腔2內,載具3放置于傳輸裝置上,傳輸至沉積區9,中間由加速段6傳輸,并且加速段6末端處設有傳感器二7,用于檢測載具3,保證載具上第一排、末排產品不再有邊緣效應,提升了硅片的鍍膜或蝕刻均勻性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





