[實(shí)用新型]一種低動(dòng)態(tài)失配的高速預(yù)放大鎖存比較器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922176927.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210670009U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃晶;朱從益;趙莉;只生武 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南京德睿智芯電子科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03K5/22 | 分類(lèi)號(hào): | H03K5/22 |
| 代理公司: | 南京蘇高專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 杜鵬爽 |
| 地址: | 211899 江蘇省南京市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 動(dòng)態(tài) 失配 高速 放大 比較 | ||
1.一種低動(dòng)態(tài)失配的高速預(yù)放大鎖存比較器,其特征在于,包括:
前置預(yù)放大器,用于對(duì)輸入的差分信號(hào)進(jìn)行放大;
鎖存器,與所述前置預(yù)放大器的輸出相連,用于對(duì)放大的差分信號(hào)進(jìn)行比較;
所述前置預(yù)放大器包括差分輸入對(duì)和有源負(fù)載,所述有源負(fù)載采用包括負(fù)載管對(duì)、負(fù)載電容對(duì)和負(fù)載電阻對(duì)的有源電感負(fù)載,用于補(bǔ)償高頻輸入信號(hào)的增益和相位;
所述鎖存器包括經(jīng)由耦合電容進(jìn)行交叉耦合的第一放大單元和第二放大單元;所述第一放大單元和所述第二放大單元之間連接有復(fù)位管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速預(yù)放大鎖存比較器,其特征在于,所述差分輸入對(duì)包括第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2),所述第一NMOS管(MN1)和所述第二NMOS管(MN2)的柵極分別接收差分輸入信號(hào),源極接偏置電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高速預(yù)放大鎖存比較器,其特征在于,所述前置預(yù)放大器還包括偏置電流源,包括第三NMOS管(MN3),其柵極接偏置電壓,源極接地,漏極接所述第一NMOS管(MN1)和所述第二NMOS管(MN2)的源極,用于為所述差分輸入對(duì)提供偏置電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高速預(yù)放大鎖存比較器,其特征在于,所述負(fù)載管對(duì)包括第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2),其源極共同連接至電源(VDD),漏極分別連接至所述第一NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極;
所述負(fù)載電容對(duì)包括第一負(fù)載電容(C1)和第二負(fù)載電容(C2);所述第一負(fù)載電容(C1)兩極板分別連接第一PMOS管的柵極和源極,所述第二負(fù)載電容(C2)兩極板分別第二PMOS管的柵極和源極;
所述負(fù)載電阻對(duì)包括第一負(fù)載電阻(R1)和第二負(fù)載電阻(R2);所述第一負(fù)載電阻(R1)兩端分別接所述第一PMOS管的柵極和漏極,所述第二負(fù)載電阻(R2)兩端分別接所述第二PMOS管的柵極和漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速預(yù)放大鎖存比較器,其特征在于,所述鎖存器還包括第一輸入電路和第二輸入電路,分別包括第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5),二者源極分別連接所述前置預(yù)放大器的差分輸出信號(hào),柵極均接入時(shí)鐘信號(hào),二者的漏極輸出分別作為所述第一放大單元和所述第二放大單元的輸入。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高速預(yù)放大鎖存比較器,其特征在于,所述耦合電容包括第一耦合電容(C3)和第二耦合電容(C4);
所述第一放大單元包括第三PMOS管(MP3)和第六NMOS管(MN6),所述第二放大單元包括第四PMOS管(MP4)和第七NMOS管(MN7);
所述第三PMOS管(MP3)與所述第六NMOS管(MN6)的柵極之間耦合有第一耦合電容(C3),所述第六NMOS管(MN6)的柵極連接至所述第四PMOS管(MP4)和所述第七NMOS管(MN7)的漏極;
所述第四PMOS管(MP4)和所述第七NMOS管(MN7)的柵極之間耦合有第二耦合電容(C4),所述第七NMOS管(MN7)的柵極連接至所述第三PMOS管(MP3)和所述第六NMOS管(MN6)的漏極;
所述第三PMOS管(MP3)和所述第四PMOS管(MP4)的源極接電源(VDD),所述第六NMOS管(MN6)和所述第七NMOS管(MN7)的源極接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高速預(yù)放大鎖存比較器,其特征在于,所述第四NMOS管(MN4)的漏極接所述第三PMOS管(MP3)的柵極,所述第五NMOS管(MN5)的漏極接所述第四PMOS管(MP4)的柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高速預(yù)放大鎖存比較器,其特征在于,所述復(fù)位管采用第八NMOS管(MN8),其源極接所述第三PMOS管(MP3)和所述第六NMOS管(MN6)的漏極,漏極接所述第四PMOS管(MP4)和所述第七NMOS管(MN7)的漏極,柵極接時(shí)鐘信號(hào)。
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