[實用新型]一種鰭型半導體器件

有效

• 申請號: 201922167972.0
• 申請日: 2019-12-05
• 公開（公告）號: CN213340383U
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 李迪
• 申請（專利權）人: 唐世沅
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 柳巖

1.一種鰭型半導體器件，其特征在于，包括：

襯底和第一鰭片部，所述第一鰭片部立設于所述襯底上，所述第一鰭片部具有根部區和硅鍺區，所述根部區與所述襯底連接，所述硅鍺區位于所述根部區上方，所述硅鍺區中含有鍺元素；

淺溝道隔離結構，所述淺溝道隔離結構形成在所述襯底上，所述淺溝道隔離結構位于所述第一鰭片部的寬度方向的兩側，位于所述淺溝道隔離結構上方的所述硅鍺區的高度范圍為45nm-60nm；

柵極結構，所述柵極結構跨設在所述硅鍺區的中間區域上，所述柵極結構覆蓋在至少一部分所述硅鍺區和所述淺溝道隔離結構；

所述硅鍺區被所述柵極結構覆蓋的區域形成溝道區，所述溝道區為溝道材料。

2.根據權利要求1所述的鰭型半導體器件，其特征在于，所述硅鍺區未被所述柵極結構覆蓋的兩個部分分別形成源區和漏區，所述源區和漏區為源漏材料。

3.根據權利要求1所述的鰭型半導體器件，其特征在于，所述淺溝道隔離結構的頂端高于所述硅鍺區的底端，所述淺溝道隔離結構的頂端在高度方向上與所述硅鍺區的底端相距5nm-10nm。

4.根據權利要求3所述的鰭型半導體器件，其特征在于，所述硅鍺區中為漸變硅鍺材料。

5.根據權利要求4所述的鰭型半導體器件，其特征在于，硅鍺區為低摻雜硅鍺材料，根部區為高摻雜根部材料，襯底為高摻雜襯底材料。

6.根據權利要求5所述的鰭型半導體器件，其特征在于，位于所述淺溝道隔離結構上方的所述第一鰭片部的高寬比的范圍為5-9。

7.根據權利要求1-6任意之一所述的鰭型半導體器件，其特征在于，所述溝道區的表面形成有硅外延生長層，所述硅外延生長層的厚度范圍為1nm-2nm。

8.根據權利要求1-6任意之一所述的鰭型半導體器件，其特征在于，還包括第二鰭片部，所述第二鰭片部形成在所述襯底上，所述第一鰭片部被配置為用于PMOS晶體管，所述第二鰭片部被配置為用于NMOS晶體管；

所述第一鰭片部的寬度比所述第二鰭片部的寬度至少寬2nm。

9.根據權利要求1-6任意之一所述的鰭型半導體器件，其特征在于，

還包括第二鰭片部，所述第二鰭片部形成在所述襯底上，所述第一鰭片部被配置為用于PMOS晶體管，所述第二鰭片部被配置為用于NMOS晶體管；

所述淺溝道隔離結構延伸至所述第二鰭片部的兩側，所述襯底在所述第一鰭片部和第二鰭片部之間形成有臺階面，所述臺階面的靠近所述第二鰭片部一側的高度比所述臺階面的靠近所述第一鰭片部一側的高度至少高5nm。