[實用新型]一種刻蝕設備

有效

• 申請號: 201922166627.5
• 申請日: 2019-12-05
• 公開（公告）號: CN211062693U
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發明（設計）人: 馬風柱;曾議鋒;李興光;劉家樺;葉日銓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291
• 代理人: 楊楷;毛立群

本實用新型提供了一種刻蝕設備，包括：刻蝕腔室，供晶圓容置其中；以及遮擋裝置，所述遮擋裝置可移動地設置于所述刻蝕腔室內，能夠分別在所述晶圓之外的主刻蝕工位和在所述晶圓上方的邊緣刻蝕工位停留,當所述遮擋裝置停留在所述邊緣刻蝕工位時，所述遮擋裝置能夠對所述晶圓表面用于形成器件結構的中心區域進行遮擋，而露出所述晶圓的外緣區域，通過遮擋裝置的設置，將主刻蝕功能和邊緣刻蝕功能集成于同一刻蝕設備，降低了制造成本的同時，提高了晶圓的刻蝕制程效率。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，更詳細地說，本實用新型涉及一種刻蝕設備。

背景技術

刻蝕是半導體制造工藝中的重要步驟，目前的半導體工藝流程中，膜層生長過程中的滲透會造成晶圓的外緣區域生長出膜層，另外由于邊緣蝕刻速率的差異因素，也會導致外緣區域累積膜層，當外緣區域到達一定厚度后容易剝落，造成缺陷，因此需要對晶圓的外緣區域進行處理，去除晶邊的缺陷(即進行邊緣刻蝕)，現有技術中，通常采用專門的晶邊刻蝕設備實現邊緣刻蝕。

因邊緣刻蝕設備的使用增加了晶圓制程的成本，且現有的邊緣刻蝕工序耗時較長，影響了晶圓制程效率，因此，有必要對現有邊緣刻蝕設備加以改進。

實用新型內容

為了解決現有技術中的上述問題，即提供一種具有既能夠進行主刻蝕又能夠進行邊緣刻蝕的刻蝕設備。

本實用新型所提供的刻蝕設備，包括：刻蝕腔室，供晶圓容置其中；以及遮擋裝置，遮擋裝置可移動地設置于刻蝕腔室內，能夠分別在晶圓之外的主刻蝕工位和在晶圓上方的邊緣刻蝕工位停留,當遮擋裝置停留在邊緣刻蝕工位時，遮擋裝置能夠對晶圓表面用于形成器件結構的中心區域進行遮擋，而露出晶圓的外緣區域。

在該技術方案中，通過遮擋裝置的設置，將主刻蝕功能和邊緣刻蝕功能集成于同一刻蝕設備，降低了制造成本的同時，提高了晶圓的刻蝕制程效率。

在本實用新型的較優技術方案中，刻蝕設備還包括：容置腔室，容置腔室與刻蝕腔室相連接，用于收容位于主刻蝕工位的遮擋裝置。

在本實用新型的較優技術方案中，刻蝕設備還包括：門體，門體設于容置腔室與刻蝕腔室的連接處，其通過開/閉實現容置腔室和刻蝕腔室之間的連通/隔斷。

在本實用新型的較優技術方案中，門體在進行主刻蝕時處于關閉狀態。

在本實用新型的較優技術方案中，遮擋裝置包括遮擋盤，遮擋盤和晶圓表面的間距可調。

在本實用新型的較優技術方案中，遮擋裝置還包括：轉軸，轉軸沿與晶圓所在平面垂直的方向延伸設置；以及連桿，連桿垂直于轉軸設置且兩端分別與轉軸和遮擋盤相固定，以帶動遮擋盤在與晶圓所在平面平行的平面內隨轉軸的轉動而相應移動。

在本實用新型的較優技術方案中，轉軸能夠沿其延伸方向伸縮。

在本實用新型的較優技術方案中，刻蝕設備為各向異性干法刻蝕設備。

在本實用新型的較優技術方案中，刻蝕設備為等離子刻蝕機。

在本實用新型的較優技術方案中，刻蝕設備還具有控制單元，遮擋盤上設置有測距裝置，測距裝置能夠測量遮擋盤和晶圓表面的間距，并向刻蝕設備的控制單元發送信號，控制單元根據信號控制轉軸的伸縮量。

附圖說明

圖1是本實用新型一個較優技術方案中的刻蝕設備的結構示意圖；

圖2是圖1中的刻蝕設備在遮擋盤移動至晶圓上方時的結構示意圖；

圖3是圖2中的刻蝕設備的遮擋盤和晶圓的間距調整后的結構示意圖；

圖4是圖1中晶圓的俯視結構示意圖；

圖5是本實用新型另一較優技術方案中的刻蝕設備的結構示意圖；