[實用新型]一種氣相沉積爐內氣體懸浮裝置

有效

• 申請號: 201922156987.7
• 申請日: 2019-12-05
• 公開（公告）號: CN211079325U
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 黃洪福;藍圖;袁永紅;雷宏濤
• 申請（專利權）人: 深圳市志橙半導體材料有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 深圳市添源知識產權代理事務所(普通合伙) 44451
• 代理人: 羅志偉

本實用新型提供了一種氣相沉積爐內氣體懸浮裝置，包括平行設置并且旋轉配合的石墨盤和底座，所述底座上設有主進氣孔、第一分氣孔、第二分氣孔、第一傾斜出氣孔和第二傾斜出氣孔，所述第一分氣孔、第二分氣孔分別位于所述主進氣孔的兩側，所述第一分氣孔、第二分氣孔分別與所述主進氣孔交匯連通于同一點。本實用新型的有益效果是：在主進氣孔的同一位置分出第一分氣孔、第二分氣孔，再分別通過第一傾斜出氣孔、第二傾斜出氣孔產生旋轉氣體，推動石墨盤懸浮并轉動，保證了氣體流動阻力一致，有效保證了兩傾斜氣體流量一樣，懸浮效果好，旋轉順暢，可顯著提高薄膜均勻性以及質量，并有效延長裝置的使用周期。

技術領域

本實用新型涉及氣相沉積爐，尤其涉及一種氣相沉積爐內氣體懸浮裝置。

背景技術

氣相沉積的基本原理涉及反應化學、熱力學、動力學、轉移機理、膜生長現象和反應工程。主要以金屬蒸氣、揮發性金屬鹵化物、氫化物或金屬有機化合物等蒸氣為原料，進行氣相熱分解反應，以及兩種以上單質或化合物的反應，再凝聚生成各種形態的材料。化學氣相沉積工藝中，沉積薄膜的均勻性極為重要，薄膜的均勻性主要受到爐內氣體分布的影響。化學氣相沉積過程是一個極為復雜的化學過程，氣體是否均勻分布會對工藝的沉積速率、膜層的致密性、薄膜均勻性等產生較大影響。通常來說化學氣相沉積受氣體流場等工藝因素影響均勻性難以保證，為了提高涂層均勻性一般采用石墨盤旋轉裝置，可以達到穩定生產的目的。

現有技術的石墨盤旋轉裝置通常包括石墨盤和底座，底座中主氣道和兩個傾斜氣孔直接連接，用于產生旋轉氣體推動石墨盤懸浮并轉動，傾斜氣孔一個在前，一個在后，流經前氣孔的阻力比后氣孔的阻力小，故流過前氣孔的氣體多，前氣孔受到工藝氣體的腐蝕也大，導致前氣孔孔徑變大影響到氣體流量均勻性，從而容易影響到石墨盤的的正常懸浮和旋轉，導致裝置失效。

發明內容

為了解決現有技術中的問題，本實用新型提供了一種氣相沉積爐內氣體懸浮裝置。

本實用新型提供了一種氣相沉積爐內氣體懸浮裝置，包括平行設置并且旋轉配合的石墨盤和底座，所述底座上設有主進氣孔、第一分氣孔、第二分氣孔、第一傾斜出氣孔和第二傾斜出氣孔，所述第一分氣孔、第二分氣孔分別位于所述主進氣孔的兩側，所述第一分氣孔、第二分氣孔分別與所述主進氣孔交匯連通于同一點，所述第一分氣孔與所述第一傾斜出氣孔連接，所述第二分氣孔與所述第二傾斜出氣孔連接，所述主進氣孔、第一分氣孔、第一傾斜出氣孔連通形成第一氣道，所述主進氣孔、第二分氣孔、第二傾斜出氣孔連通形成第二氣道，所述第一氣道、第二氣道用于產生旋轉氣體，推動所述石墨盤懸浮并轉動。

作為本實用新型的進一步改進，所述第一分氣孔、第二分氣孔的軸線相重合，所述第一分氣孔、第二分氣孔分別垂直于所述主進氣孔。

作為本實用新型的進一步改進，所述主進氣孔、第一分氣孔、第二分氣孔的軸線均平行于水平面，所述第一傾斜出氣孔、第二傾斜出氣孔的軸線均與水平面成銳角。

作為本實用新型的進一步改進，所述第一傾斜出氣孔、第二傾斜出氣孔對稱設置。

作為本實用新型的進一步改進，所述第一傾斜出氣孔、第二傾斜出氣孔的表面均覆蓋有碳化硅涂層。

作為本實用新型的進一步改進，所述底座上設有轉軸，所述石墨盤上設有轉孔，所述轉軸設置在所述轉孔之內。

作為本實用新型的進一步改進，所述底座上設有氣道鑲塊，所述第一分氣孔、第二分氣孔、第一傾斜出氣孔、第二傾斜出氣孔均位于所述氣道鑲塊之內，所述底座與所述氣道鑲塊為密封配合。

作為本實用新型的進一步改進，所述石墨盤貼合所述底座的底面上設有與所述第一傾斜出氣孔、第二傾斜出氣孔相對應的旋轉氣槽，所述第一傾斜出氣孔、第二傾斜出氣孔射出的傾斜氣體進入所述旋轉氣槽產生旋轉氣體，推動所述石墨盤懸浮并轉動。