[實用新型]半導體結構有效
| 申請號： | 201922152641.X | 申請日： | 2019-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN211088261U | 公開（公告）日： | 2020-07-24 |
| 發明（設計）人： | 于新新 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 | ||
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括第一區域和第二區域，所述第一區域上形成有第一器件結構，所述第二區域上形成有第二器件結構，所述第一器件結構高度大于所述第二器件結構的高度，所述第一器件結構具有至少部分凹陷的側壁，所述凹陷位于所述第一區域和第二區域的交界處；
第一介質層，位于第二區域上，所述第一介質層填充滿所述凹陷，所述第一介質層具有流動性。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于第一介質層上方，覆蓋所述第一區域和第二區域的第二介質層，所述第二介質層的硬度大于所述第一介質層的硬度。
3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第一介質層表面低于所述第一器件結構頂部。
4.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第二介質層的厚度范圍為500nm～1000nm。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一介質層為具有摻雜元素的氧化硅層，且所述摻雜元素包括磷和硼中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二器件結構包括金屬連接層，還包括：貫穿所述第一介質層，與所述金屬連接層連接的金屬接觸孔。
7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬接觸孔包括：覆蓋貫穿所述第一介質層的通孔內部表面的金屬阻擋層；位于所述金屬阻擋層表面且填充滿所述通孔的金屬層。
8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬層為退火回流處理后的金屬層。
9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一器件結構包括存儲單元陣列。
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