[實(shí)用新型]鍍膜設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922152448.6 | 申請日: | 2019-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN211814641U | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宗堅(jiān);單偉;蘭竹瑤 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇菲沃泰納米科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/515 | 分類號: | C23C16/515;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/02 |
| 代理公司: | 寧波理文知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 羅京;王麗芳 |
| 地址: | 214183 江蘇省無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍膜 設(shè)備 | ||
1.一鍍膜設(shè)備,供至少一待鍍膜工件鍍膜,其特征在于,包括:
一反應(yīng)腔體,其中所述反應(yīng)腔體具有一反應(yīng)腔;
一氣體供給部,其中所述氣體供給部用于向所述反應(yīng)腔供給氣體;
一進(jìn)料裝置,其中所述進(jìn)料裝置被可連通地于所述反應(yīng)腔地連接于所述反應(yīng)腔體;
一抽氣裝置,其中所述抽氣裝置被可連通于所述反應(yīng)腔地連接于所述反應(yīng)腔體,所述抽氣裝置用于抽取所述反應(yīng)腔內(nèi)的氣體以控制真空度;以及
一脈沖電源,其中所述脈沖電源用于向所述反應(yīng)腔體提供脈沖電場,其中多個該待鍍膜工件被保持于所述反應(yīng)腔,當(dāng)所述脈沖電源被連通,所述反應(yīng)腔體內(nèi)的氣體在脈沖電場的作用下電離產(chǎn)生等離子體并且等離子體朝向該鍍膜工件的表面沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備,進(jìn)一步包括一射頻電源,其中所述射頻電源用于向所述反應(yīng)腔體提供射頻電場,當(dāng)所述射頻電源被接通,等離子體在脈沖電場和射頻電場的作用下朝向該待鍍膜工件的表面沉積。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜設(shè)備,進(jìn)一步包括至少一電極,其中至少一所述電極作為所述脈沖電源的陰極被設(shè)置在該鍍膜工件的一側(cè)以使等離子體中的正離子加速朝向該鍍膜工件運(yùn)動。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備,其中至少一所述電極作為所述脈沖電源的陰極被設(shè)置在該鍍膜工件的另一側(cè)以形成所述脈沖電場。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備,其中至少一所述電極作為所述脈沖電源的陽極被設(shè)置在所述反應(yīng)腔體。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備,進(jìn)一步包括一多層支架,其中所述多層支架包括多個支撐件,所述支撐件被保持預(yù)設(shè)間隔地保持于所述反應(yīng)腔,其中多個該待鍍膜工件被分別支撐于所述支撐件,其中作為所述脈沖電源的陰極的所述電極被設(shè)置于至少一所述支撐件。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜設(shè)備,進(jìn)一步包括一多層支架,其中所述多層支架包括多個支撐件,其中多個該待鍍膜工件被分別支撐于所述支撐件,其中至少一個所述支撐件作為所述脈沖電源的陰極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的鍍膜設(shè)備,其中至少一個所述支撐件作為所述射頻電源的電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的鍍膜設(shè)備,其中至少一個所述支撐件作為所述脈沖電源的陽極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍膜設(shè)備,其中作為所述射頻電源的電極位于該待鍍膜工件的上方并且該待鍍膜工件被支撐于作為所述脈沖電源的陰極的所述支撐件。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜設(shè)備,其中作為所述脈沖電源的陽極的所述支撐件位于該待鍍膜工件的上方并且該待鍍膜工件被支撐于作為所述脈沖電源的陰極的所述支撐件。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜設(shè)備,其中作為所述脈沖電源的陰極的所述支撐件和作為所述脈沖電源的陽極的所述支撐件被交替布置。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍍膜設(shè)備,其中所述多層支架的至少一層被作為所述氣體供給部,并且作為所述氣體供給部的所述支撐件位于該待鍍膜工件的上方。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鍍膜設(shè)備,其中作為所述氣體供給部所述支撐件包括一頂板和一底板,其中所述頂板和所述底板之間預(yù)留空間供氣體暫存,所述底板形成至少一出氣口,以使得氣體自該待鍍膜工件的上方位置逸出。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的鍍膜設(shè)備,其中作為所述氣體供給部的所述支撐件和作為所述脈沖電源的陰極的所述支撐件被交替布置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的鍍膜設(shè)備,其中所述出氣口被均勻地布置在該鍍膜工件的上方。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇菲沃泰納米科技有限公司,未經(jīng)江蘇菲沃泰納米科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201922152448.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





