[實(shí)用新型]基于人工表面等離激元的基片集成波導(dǎo)濾波器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922145498.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210576352U | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賀正軍;陳鵬;楊濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都眾志天成科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01P1/20 | 分類號(hào): | H01P1/20 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 610097 四川*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 人工 表面 離激元 集成 波導(dǎo) 濾波器 | ||
1.一種基于人工表面等離激元的基片集成波導(dǎo)濾波器,包括介質(zhì)基板,位于介質(zhì)基板上表面的上層電路板和位于介質(zhì)基板下表面的下層接地板,其特征在于:所述上層電路板包括輸入端口、ML-SIW過(guò)渡部、基片集成波導(dǎo)部、SIW-ML過(guò)渡部和輸出端口,所述基片集成波導(dǎo)部為相同且平行相對(duì)應(yīng)的上下兩排金屬過(guò)孔陣列結(jié)構(gòu),所述上排金屬過(guò)孔陣列與下排金屬過(guò)孔陣列中的所有金屬過(guò)孔的內(nèi)壁均電鍍金屬銅并貫穿所述上層電路板、介質(zhì)基板和下層接地板;
所述上排金屬過(guò)孔陣列和下排金屬過(guò)孔陣列之間,刻蝕有由金屬槽線構(gòu)成的左右對(duì)稱且上下對(duì)稱的人工表面等離激元結(jié)構(gòu),所述人工表面等離激元結(jié)構(gòu)包括N個(gè)人工表面等離激元單元和一條中央水平槽線,所述中央水平槽線將N個(gè)人工表面等離激元單元串聯(lián),所述任意一個(gè)人工表面等離激元單元以中央水平槽線為中心線上下對(duì)稱且包括四條水平槽線和一條垂直槽線, 所述上排或者下排金屬過(guò)孔陣列中兩個(gè)橫向相鄰的金屬過(guò)孔圓心距為p,p須滿足:
;
式中d為任意金屬過(guò)孔的直徑,為所述濾波器的中心頻率, 為介質(zhì)基板的相對(duì)介電常數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器,其特征在于:所述上排金屬過(guò)孔陣列與下排金屬過(guò)孔陣列距離為h,所述濾波器的下邊帶截止頻率為 ,兩者滿足:
)
式中,c為真空中光速,h值增大,則下邊帶截止頻率 減小,h值減小,則下邊帶截止頻率 增大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器,其特征在于:所述濾波器的上邊帶截止頻率為 ,滿足:
, ;
式中k為波矢,c為真空中光速,任意所述人工表面等離激元單元的水平槽線長(zhǎng)度為、水平槽線寬度為、垂直槽線寬度為 、垂直槽線長(zhǎng)度為。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的濾波器,其特征在于:所述N值范圍為,2≤N≤11。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的濾波器,其特征在于:所述介質(zhì)基板的材料為羅杰斯5880。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濾波器,其特征在于:所述N值為7。
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