[實用新型]一種緩沖近地電壓的CMOS緩沖器有效

申請號：	201922136819.1	申請日：	2019-12-03
公開（公告）號：	CN210666510U	公開（公告）日：	2020-06-02
發明（設計）人：	白春風;王洋;湯雁婷;喬東海	申請（專利權）人：	蘇州大學
主分類號：	G05F1/56	分類號：	G05F1/56
代理公司：	蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257	代理人：	殷海霞
地址：	215168 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種緩沖電壓 cmos 緩沖器
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種緩沖近地電壓的CMOS緩沖器，其特征在于，包括：運算跨導放大器OTA，以及由偏置恒定電流源IB1、偏置恒定電流源IB2、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3組成的超級源極跟隨器；

所述運算跨導放大器OTA的同向輸入端與電壓輸入端連接，電壓輸出端、所述NMOS管N1的源極、所述NMOS管N2的漏極均與所述運算跨導放大器OTA的反向輸入端連接，所述運算跨導放大器OTA的輸出端與NMOS管N1的柵極連接，所述偏置恒定電流源IB1的輸入端與電源連接，所述偏置恒定電流源IB1的輸出端和所述NMOS管N3的柵極均與所述NMOS管N1的漏極連接，所述偏置恒定電流源IB2的輸入端和NMOS管N3的源極均與所述NMOS管N2的柵極連接，所述NMOS管N2的源極接地，所述偏置恒定電流源IB2輸出端接地，所述NMOS管N3的漏極與電源連接。

2.如權利要求1所述的緩沖近地電壓的CMOS緩沖器，其特征在于，所述NMOS管N2偏置在亞閾值區，所述NMOS管N1和NMOS管N3工作在飽和區。

3.如權利要求1所述的緩沖近地電壓的CMOS緩沖器，其特征在于，所述運算跨導放大器OTA采用PMOS源極耦合差分對作為輸入級的折疊共源共柵結構。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州大學，未經蘇州大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201922136819.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。