[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體的制作治具及制作設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922136158.2
• 申請日: 2019-12-03
• 公開（公告）號: CN212460305U
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐翊翔;王超源;楊方;王振
• 申請（專利權(quán)）人: 福建晶安光電有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種半導(dǎo)體制作治具及制作設(shè)備，用于承載半導(dǎo)體或者襯底絕緣，對半導(dǎo)體材料或者襯底材料上的光刻膠進(jìn)行曝光，利用治具的反射率差異，控制不同區(qū)域的曝光能量分布強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)對不同區(qū)域的光刻膠移除量控制，最終得到合適的光刻膠圖形。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體的制作治具或者制作設(shè)備。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造中，利用光學(xué)和化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，通過光罩板將圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級（從毫米級到微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

參看圖1和圖2，治具為一載臺(tái)，用于承載晶片，通過控制機(jī)構(gòu)控制載臺(tái)蛇形走動(dòng)曝光，因光刻膠的上膠機(jī)上膠后，由于慣性的原因，存在外圍膠膜厚偏厚現(xiàn)象，正常曝光能量不足以曝開，導(dǎo)致外圍無法正常開出規(guī)格需求圖形。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體的制作治具，治具例如為一種曝光機(jī)用的托盤。

曝光機(jī)為一般印刷電路板、半導(dǎo)體芯片或者襯底片在進(jìn)行曝光顯影制程時(shí)常用的設(shè)備。曝光機(jī)投射的光束需要以透鏡組修正為平行光再投射至工作對象上，如此方能確保工作對象受到均勻光照。

一般而言，曝光機(jī)工作時(shí)，工作對象平放而光束自工作對象上方向下投射以照射工作對象。工作對象上方需要配置光源以及透鏡組并且預(yù)留光束投射路徑的空間。

曝光機(jī)的工作原理是將光罩板的工作底片和待曝光晶片在外部的對位區(qū)進(jìn)行對位工作，這里的外部對位區(qū)主要指的是光刻膠，然后在曝光室內(nèi)，把工作底片的圖樣借由曝光的程序復(fù)制到待曝光晶片上，工作底片例如光罩板。

曝光機(jī)的對位原理是各攝影機(jī)鏡頭捕捉底片上的標(biāo)靶與對位標(biāo)記相重疊的圖像，并作相應(yīng)的框架調(diào)整，以使圖像的對位精度達(dá)到工藝要求。

在對半導(dǎo)體晶圓或者襯底晶圓上的光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，治具用于承載晶圓，晶圓至少部分為透明或者半透明材料，治具與晶圓接觸的一側(cè)具有反射面，反射面的反射率具有分布變化，在需要增強(qiáng)光移除效果的對應(yīng)位置反射率增高。

治具反射面的反射率根據(jù)特定的光刻膠移除率進(jìn)行變化，移除率要求高的地方反射率高于移除率要求低的地方。

在晶圓曝光工藝中，由于上膠工藝的限制，在晶圓邊緣處的光刻膠厚度往往大于中心位置的光刻膠厚度，通常的均勻曝光工藝無法對邊緣位置的光刻膠進(jìn)行有效移除，因此在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中將治具的邊緣處反射面邊緣處的反射率設(shè)計(jì)為高于反射面中心位置的反射率，這里的治具邊緣主要指的是相對于擺放在治具上晶圓的位置，而并非絕對的邊緣。

在一些實(shí)施例中，治具可設(shè)計(jì)為反射面的反射率從中心位置至邊緣處，逐漸變高。

一種半導(dǎo)體的制作設(shè)備，用于對半導(dǎo)體晶圓或者襯底晶圓上的光刻膠進(jìn)行曝光，并至少部分移除光刻膠，包括上述任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體的治具。

制作設(shè)備具有曝光光源，曝光光源與治具的反射面位于晶圓的兩側(cè)。

本實(shí)用新型的治具可作為一種曝光機(jī)的反射托盤，其有益效果，至少包括：藉由托盤與晶圓接觸面的反射面實(shí)現(xiàn)理想曝光分布，即控制光照強(qiáng)度分布，增加需要的曝光強(qiáng)度或者降低需要減弱的曝光強(qiáng)度。

本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本實(shí)用新型而了解。本實(shí)用新型的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明