[實(shí)用新型]一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922134203.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-12-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN210723040U | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 田濤;張營(yíng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 濟(jì)寧學(xué)院 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/739 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 青島發(fā)思特專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 37212 | 代理人： | 丁鵬鵬 |
| 地址： | 272001 山東省濟(jì)寧*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電流 絕緣體 橫向 絕緣 柵雙極型 晶體管 | ||
1.一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管，包括P型襯底(1)，P型襯底(1)的上方依次設(shè)有埋氧(2)、N型外延層(3)和N型緩沖層(4)，N型外延層(3)的上方設(shè)有晶體管的陽(yáng)極、陰極和柵極，其特征在于：所述的N型外延層(3)的上方設(shè)有NMOS管A(25)、自偏置PMOS管B(26)和NMOS管C(27)，N型外延層(3)的上方一側(cè)設(shè)有第一P型阱區(qū)(7)和第二P型阱區(qū)(19)，第一P型阱區(qū)(7)和第二P型阱區(qū)(19)分別靠近晶體管的陽(yáng)極和陰極，其中NMOS管A(25)設(shè)置在第二P型阱區(qū)(19)內(nèi)，自偏置PMOS管B(26)跨接在所述第一P型阱區(qū)(7)和第二P型阱區(qū)(19)之間，NMOS管C(27)跨接在第一P型阱區(qū)(7)和N型外延層(3)之間，NMOS管A(25)與自偏置PMOS管B(26)相連，NMOS管A(25)包括A管N+漏區(qū)(20)、A管N+源區(qū)(18)，自偏置PMOS管B(26)包括B管P+漏區(qū)(17)，NMOS管C(27)包括C管N+源區(qū)(9)，其中A管N+漏區(qū)(20)與C管N+源區(qū)(9)互連，A管N+源區(qū)(18)與B管P+漏區(qū)(17)相連后通過(guò)陰極金屬(16)短接引出作為晶體管的陰極，N型緩沖層(4)設(shè)置在N型外延層(3)的一側(cè)，N型緩沖層(4)上層遠(yuǎn)離晶體管陰極方向的一側(cè)設(shè)有P+陽(yáng)極區(qū)(5)，C管N+源區(qū)(9)、第一P型阱區(qū)(7)、N型外延層(3)共同構(gòu)成NPN型寄生三極管，第一P型阱區(qū)(7)、N型外延層(3)和P+陽(yáng)極區(qū)(5)共同構(gòu)成PNP型三極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的P+陽(yáng)極區(qū)(5)上方設(shè)有陽(yáng)極金屬(6)，陽(yáng)極金屬(6)引出作為晶體管的陽(yáng)極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的NMOS管A(25)還包括A管多晶硅柵極(22)，NMOS管C(27)還包括C管多晶硅柵極(11)，A管多晶硅柵極(22)和C管多晶硅柵極(11)相連后作為晶體管的柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的NMOS管A(25)還包括A管柵氧化層(23)，A管柵氧化層(23)的下表面分別與A管N+漏區(qū)(20)和A管N+源區(qū)(18)的上表面接觸，A管多晶硅柵極(22)位于A管柵氧化層(23)的上方，A管N+漏區(qū)(20)上方設(shè)有A管金屬(21)，所述A管金屬(21)、A管多晶硅柵極(22)和陰極金屬(16)是互不相連的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的自偏置PMOS管B(26)還包括B管多晶硅柵極(14)，B管多晶硅柵極(14)與陰極金屬(16)相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的自偏置PMOS管B(26)還包括B管P+源區(qū)(13)和B管柵氧化層(15)，B管柵氧化層(15)的下表面分別與B管P+漏區(qū)(17)和B管P+源區(qū)(13)的上表面接觸，B管多晶硅柵極(14)位于B管柵氧化層(15)的上方，陰極金屬(16)位于B管P+漏區(qū)(17)上方，A管N+源區(qū)(18)和B管P+漏區(qū)(17)分別位于陰極金屬(16)下方兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的NMOS管C(27)還包括C管柵氧化層(10)，C管多晶硅柵極(11)位于C管柵氧化層(10)的上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的C管N+源區(qū)(9)和B管P+源區(qū)(13)相鄰，C管N+源區(qū)(9)上方設(shè)有C管金屬(12)，C管多晶硅柵極(11)、C管金屬(12)、B管多晶硅柵極(14)是互不相連的，A管金屬(21)和C管金屬(12)相互連接。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于濟(jì)寧學(xué)院，未經(jīng)濟(jì)寧學(xué)院許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201922134203.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
