[實用新型]半導體結構

有效

• 申請號: 201922132862.0
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN210640252U
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 劉忠明;白世杰
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上形成有邏輯電路，所述邏輯電路包括多個邏輯元件；

第一電容層，位于所述襯底的上方，包括多個第一電容；

第二位線層，位于所述第一電容層的上方，包括多條平行設置的第二位線；

字線層，位于所述第二位線層的上方，包括平行設置的多條字線；

第一位線層，位于所述字線層的上方，包括多條平行設置的第一位線；

第二電容層，位于所述第一位線層的上方，包括多個第二電容；

垂直于所述第二位線層、所述字線層、所述第一位線層的多個第一硅柱和多個第二硅柱，其中：

每個所述第一硅柱的第一摻雜區電連接一個所述第一電容且第二摻雜區電連接一條所述第一位線；

每個所述第二硅柱的第一摻雜區電連接一個所述第二電容且第二摻雜區電連接一條所述第二位線；

所述多條字線包裹所述第一硅柱和/或所述第二硅柱的中部。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二位線包裹所述第二硅柱的至少部分第二摻雜區。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二位線的上表面連接所述第二硅柱的第二摻雜區。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述第二位線層和所述字線層的中間還包括：

第一中間層，包裹所述第一硅柱的至少部分第一摻雜區和所述第二硅柱的至少部分第二摻雜區。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一位線包裹所述第一硅柱的至少部分第二摻雜區。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一位線的下表面連接所述第一硅柱的第二摻雜區。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述第一位線層和所述字線層的中間還包括：

第二中間層，包裹所述第二硅柱的至少部分第一摻雜區和所述第一硅柱的至少部分第二摻雜區。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述字線和所述第一硅柱、所述第二硅柱之間均存在絕緣層。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，在同一層中，所述第一硅柱和所述第二硅柱呈m行n列排列，所述第一硅柱分為第一組和第二組，所述第二硅柱分為第三組和第四組，所述第一硅柱位于奇數行且所述第二硅柱位于偶數行，所述第一組的第一硅柱均位于奇數行奇數列，所述第二組的第一硅柱均位于相鄰奇數行的偶數列；所述第三組的第二硅柱均位于偶數行偶數列，所述第四組的第二硅柱均位于相鄰偶數行的奇數列。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，在同一層中，所述第一硅柱和所述第二硅柱呈m行n列排列，所述第一硅柱分為第一組和第二組，所述第二硅柱分為第三組和第四組，所述第一硅柱位于偶數行且所述第二硅柱位于奇數行，所述第一組的第一硅柱均位于偶數行偶數列，所述第二組的第一硅柱均位于相鄰偶數行的奇數列；所述第三組的第二硅柱均位于奇數行奇數列，所述第四組的第二硅柱均位于相鄰奇數行的偶數列。