[實用新型]一種抗干擾單工射頻發射電路

有效

• 申請號: 201922124998.7
• 申請日: 2019-12-02
• 公開（公告）號: CN210670035U
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 黃鋒
• 申請（專利權）人: 黃岡師范學院
• 主分類號: H04B1/04
• 分類號: H04B1/04
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 徐琪琦

1.一種抗干擾單工射頻發射電路，其特征在于，包括雙模鎖相環頻率合成芯片O1、晶振濾波電路(1)、鎖相顯示電路(2)、環路濾波電路(3)、壓控諧振電路(4)、分頻電路(5)、功率放大電路(6)和射頻天線(7)，在所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的振蕩輸入引腳和振蕩輸出引腳之間電連接有所述晶振濾波電路(1)，所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的鎖定檢測引腳通過所述鎖相顯示電路(2)接地，所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的鑒相輸出引腳通過所述環路濾波電路(3)與所述壓控諧振電路(4)的輸入端電連接，所述壓控諧振電路(4)的輸出端通過所述分頻電路(5)與所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的分頻信號輸入引腳電連接，所述壓控諧振電路(4)的輸出端還通過所述功率放大電路(6)與所述射頻天線(7)電連接。

2.根據權利要求1所述的抗干擾單工射頻發射電路，其特征在于，所述晶振濾波電路(1)包括晶振Z11、電容C11、電容C12和電阻R11，所述電容C11與所述電容C12串聯后與所述晶振Z11并聯，所述電容C11與所述電容C12之間的公共端接地，所述電阻R11的一端電連接在所述電容C12與所述晶振Z11之間的公共端上，所述晶振Z11與所述電容C11之間的公共端電連接在所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的振蕩輸入引腳上，所述電阻R11的另一端電連接在所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的振蕩輸出引腳上。

3.根據權利要求1所述的抗干擾單工射頻發射電路，其特征在于，所述鎖相顯示電路(2)包括發光元件LED和電阻R21，所述電阻R21的兩端分別與所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的鎖定檢測引腳和所述發光元件LED的正級電連接，所述發光元件LED的負極接地。

4.根據權利要求1-3任一項所述的抗干擾單工射頻發射電路，其特征在于，所述壓控諧振電路(4)包括壓控振蕩芯片O2、電感L41、變容二極管VD1、變容二極管VD2、電阻R41、電阻R42、電容C41、電容C42、電容C43、電容C44和電容C45，所述電感L41的兩端分別與所述變容二極管VD1的陽級和所述變容二極管VD2的陽極電連接，所述電感L41的一端與所述變容二極管VD1的陽極之間的公共端電連接在所述壓控振蕩芯片O2的偏壓輸出引腳上，所述電感L41的一端與所述變容二極管VD1的陽極之間的公共端還通過所述電容C41接地，所述電感L41的另一端與所述變容二極管VD2的陽極之間的公共端電連接在所述壓控振蕩芯片O2的諧振輸入引腳上，所述變容二極管VD1的陰極與所述變容二極管VD2的陰極電連接，所述電阻R41的一端電連接在所述變容二極管VD1的陰極與所述變容二極管VD2的陰極之間的公共端上，所述電阻R41的另一端分別通過所述電阻R42、所述電容C42和所述電容C43接地，所述壓控振蕩芯片O2的電源引腳通過所述電容C44接地，所述壓控振蕩芯片O2的電壓輸出引腳通過所述電容C45接地，所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的鑒相輸出引腳通過所述環路濾波電路(3)電連接在所述變容二極管VD1的陰極與所述變容二極管VD2的陰極之間的公共端上，所述變容二極管VD1的陰極與所述變容二極管VD2的陰極之間的公共端為所述壓控諧振電路(4)的輸入端，所述壓控振蕩芯片O2的振蕩信號輸出引腳為所述壓控諧振電路(4)的輸出端。

5.根據權利要求4所述的抗干擾單工射頻發射電路，其特征在于，所述分頻電路(5)包括雙模預置分頻芯片O3、電容C51、電容C52、電容C53和電阻R51，所述雙模預置分頻芯片O3的電源引腳和開關控制引腳分別通過所述電容C51接地，所述雙模預置分頻芯片O3的輸入引腳通過所述電容C52接地，所述雙模預置分頻芯片O3的模式控制引腳與所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的模式控制引腳電連接，所述雙模預置分頻芯片O3的振蕩信號輸入引腳通過所述電容C53與所述壓控振蕩芯片O2的振蕩信號輸出引腳電連接，所述雙模預置分頻芯片O3的分頻信號輸出引腳與所述雙模鎖相環頻率合成芯片O1的分頻信號輸入引腳電連接，所述雙模預置分頻芯片O3的分頻信號輸出引腳還通過所述電阻R51接地。