[實用新型]一種12英寸晶圓銅柱錫凸塊生產用制造設備有效
| 申請號: | 201922106125.3 | 申請日: | 2019-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN210575868U | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 陳業;楊雪松;時穎 | 申請(專利權)人: | 江蘇納沛斯半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 223002 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 12 英寸 晶圓銅柱錫凸塊 生產 制造 設備 | ||
本實用新型涉及晶圓測量設備技術領域,且公開了一種12英寸晶圓銅柱錫凸塊生產用制造設備,包括主體座,所述主體座的內部活動安裝有兩個傳動滾輪,所述主體座的底部固定安裝有動力箱。該12英寸晶圓銅柱錫凸塊生產用制造設備,通過檢測支架呈C字型,且檢測支架與兩個測量電動推桿的連接方式為焊接,檢測支架底部的接觸感應器在接觸到晶圓凸塊后,通過信號發射模塊將信號發射至處理器,處理器暫停高度調節推桿,然后啟動測量電動推桿,使感應片和滑動滾珠均接觸到晶圓凸塊,然后通過數據測量模塊進行數據的測量,再啟動轉動電機,使檢測支架旋轉三百六十度,最后將數據通過信號發射模塊發送給處理器判斷產品是否合格。
技術領域
本實用新型涉及晶圓測量設備技術領域,具體為一種12英寸晶圓銅柱錫凸塊生產用制造設備。
背景技術
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓,在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能的集成電路產品,晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅,二氧化硅礦石經由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。
現有的晶圓制備過程需要確定凸塊位置,濺鍍粘附層,然后上光阻,曝光、顯影,再電鑄槽中電鑄,依次鍍上保護層和潤濕層,最后鍍上錫鉛合金層,凸塊成型后檢測,而現有的檢測設備檢測速度較慢,且檢測數據不夠全面,給使用者帶來了許多不便,故而提出了一種12英寸晶圓銅柱錫凸塊生產用制造設備來解決上述中提出的問題。
實用新型內容
(一)解決的技術問題
針對現有技術的不足,本實用新型提供了一種12英寸晶圓銅柱錫凸塊生產用制造設備,具備快速檢測且檢測全面等優點,解決了現有的檢測設備檢測速度較慢,且檢測數據不夠全面,給使用者帶來了許多不便的問題。
(二)技術方案
為實現上述快速檢測且檢測全面目的,本實用新型提供如下技術方案:一種12英寸晶圓銅柱錫凸塊生產用制造設備,包括主體座,所述主體座的內部活動安裝有兩個傳動滾輪,所述主體座的底部固定安裝有動力箱,所述動力箱的內部固定安裝有傳輸電機,所述傳輸電機的輸出軸上固定安裝有傳動錐齒,左側所述傳動滾輪的正面固定安裝有與傳動錐齒相嚙合的從動錐齒,兩個所述傳動滾輪通過傳動帶傳動連接,所述傳動帶的頂部活動安裝有晶圓凸塊,所述主體座的頂部且位于傳動帶的正面和背面固定安裝有支撐檢測板,兩個所述支撐檢測板的頂部固定安裝有檢測頂座,所述檢測頂座內底壁上固定安裝有高度調節推桿,所述高度調節推桿的底部活動安裝有與高度調節推桿相適配的延伸桿,所述延伸桿的底部固定安裝有調節動力盒,所述調節動力盒的內部固定安裝有轉動電機,所述轉動電機的輸出軸上且位于調節動力盒的底部固定安裝有檢測支架,所述檢測支架的左右兩側均固定安裝有測量電動推桿,右側所述測量電動推桿的輸出軸上均固定安裝有與晶圓凸塊相對應的感應片,所述檢測支架的內頂壁上固定安裝有與晶圓凸塊相對應的接觸感應器,所述檢測支架的內部固定安裝有數據測量模塊和信號發射模塊,所述檢測頂座的內部固定安裝有處理器。
優選的,所述處理器的輸出端與轉動電機、傳輸電機、高度調節推桿和測量電動推桿的輸入端信號連接,所述測量電動推桿的輸出端與接觸感應器和感應片的輸入端信號連接,所述感應片的輸出端均與數據測量模塊的輸入端信號連接,所述數據測量模塊和接觸感應器的輸出端均與信號發射模塊的輸入端信號連接,所述信號發射模塊的輸出端與處理器的輸入端信號連接。
優選的,左側所述測量電動推桿的輸出軸上固定安裝有與晶圓凸塊相對應滑動滾珠。
優選的,所述轉動電機的輸出軸上固定安裝有與調節動力盒相對應的限位環。
優選的,所述檢測支架呈C字型,且檢測支架與兩個測量電動推桿的連接方式為焊接。
優選的,所述主體座的內部開設有與兩個傳動滾輪相對應的滾動安置槽。
(三)有益效果
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





