[實(shí)用新型]一種CMOS功放的過(guò)壓保護(hù)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922101387.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN211018768U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李露露;高自立;鄒亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 珠海復(fù)旦創(chuàng)新研究院 |
| 主分類號(hào): | H03F1/52 | 分類號(hào): | H03F1/52 |
| 代理公司: | 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 曹鵬飛 |
| 地址: | 519000 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 cmos 功放 保護(hù) 電路 | ||
1.一種CMOS功放的過(guò)壓保護(hù)電路,其特征在于,包括疊管電路、電壓傳感器、電壓限幅器以及減法器;
所述疊管電路的一端分別與所述電壓傳感器和所述電壓限幅器連接,所述疊管電路的另一端與所述減法器連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CMOS功放的過(guò)壓保護(hù)電路,其特征在于,所述疊管電路包括MOS管M1、MOS管M2和電感L1;
所述MOS管M1的柵極與所述減法器連接,所述MOS管M1的源極接地,所述MOS管M1的漏極與所述MOS管M2的源極連接;
所述MOS管M2的柵極與所述電壓限幅器連接,所述MOS管M2的漏極與所述電感L1連接,所述電壓傳感器的一端與所述MOS管M2的漏極連接,其另一端與所述MOS管M2的柵極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種CMOS功放的過(guò)壓保護(hù)電路,其特征在于,所述電壓限幅器包括多個(gè)二極管,多個(gè)所述二極管串聯(lián)連接。
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H03F 放大器
H03F1-00 只用電子管,只用半導(dǎo)體器件或只用未特別指明的器件作為放大元件的放大器的零部件
H03F1-02 .為提高效率對(duì)放大器的改進(jìn),例如滑動(dòng)甲類放大級(jí),采用輔助振蕩
H03F1-08 .為減少放大元件內(nèi)阻的有害影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-30 .為減少溫度變化或電源電壓變化的影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-32 .為減少非線性失真對(duì)放大器的改進(jìn)





