[實用新型]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201922097965.8
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN210429814U
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 劉弘;方業周;王鳳國;武新國;郭志軒;王海東;田亮;張東;楊越;崔玉琳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉紅彬

本申請涉及顯示技術領域，公開了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，其中，陣列基板包括：襯底基板，襯底基板具有用于封裝覆晶薄膜的封裝搭接區；依次設置于襯底基板上與封裝搭接區對應部位的第一電極結構、層間介質層、第二電極結構和第三電極結構，第二電極結構與第一電極結構通過過孔電連接，其中，第二電極結構與襯底基板具有的有效顯示區內的薄膜晶體管具有的源漏電極結構同層制備，且第二電極結構具有鋁金屬層，第二電極結構圖案邊緣的至少一部分覆蓋有保護層以保護第二電極結構內具有的鋁金屬層的邊緣。本申請公開的陣列基板，能夠保護外露的表層金屬不被腐蝕，并起到與其他膜層最佳搭接效果，最終改善鋁腐蝕造成的畫面不良的問題。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

覆晶薄膜封裝工藝已經成為目前流行的全面屏時代的一個重要封裝技術，封裝搭接區的每個PIN輸出都是通過Gate(柵極)→CNT(層間介質層)→SD(源漏金屬)→P-ITO(像素電極)形成對應圖案疊加來實現信號的傳導。但實際工藝中，PIN區域的源漏金屬裸露在外的部分會被平坦層顯影液以及公共電極刻蝕液腐蝕，而導致源漏金屬層中的鋁被腐蝕，兩側的源漏金屬膜層發生斷裂，嚴重影響到與上膜層的有效搭接及接觸電阻，造成點燈畫面不良3％。

實用新型內容

本申請提供了一種陣列基板，能夠保護外露的鋁金屬層的邊緣，起到與其他膜層最佳搭接效果，最終改善鋁腐蝕造成的畫面不良的問題。

為了達到上述目的，本實用新型提供了一種薄膜晶體管，包括：

襯底基板，所述襯底基板具有用于封裝覆晶薄膜的封裝搭接區；

依次設置于所述襯底基板上與所述封裝搭接區對應部位的第一電極結構、層間介質層、第二電極結構和第三電極結構，所述第二電極結構與所述第一電極結構通過形成于所述層間介質層上的過孔電連接，其中，所述第二電極結構與所述襯底基板具有的有效顯示區內的薄膜晶體管具有的源漏電極結構同層制備，且所述第二電極結構具有鋁金屬層，第二電極結構圖案邊緣的至少一部分覆蓋有保護層以保護所述第二電極結構內具有的鋁金屬層的邊緣。

上述陣列基板，由于第二電極結構包括鋁金屬層，在位于封裝搭接區內的第二電極結構圖案邊緣的至少一部分設置保護層，可以有效保護裸露在外的鋁金屬層的邊緣，進而有效防止第二電極結構中的鋁被腐蝕。除此之外，保護層還可改善第二電極結構兩側的角度，起到與其他膜層最佳的搭接效果，最終改善由于鋁被腐蝕而造成的畫面不良的問題。

優選地，所述第一電極結構與所述襯底基板具有的有效顯示區內的薄膜晶體管具有的柵極同層制備。

優選地，所述第三電極結構與所述襯底基板具有的有效顯示區內的像素電極同層制備。

優選地，所述第二電極結構還包括位于所述鋁金屬層朝向所述第一電極結構一側的第一鈦金屬層和位于所述鋁金屬層背離所述第一鈦金屬層一側的第二鈦金屬層。

優選地，所述第二電極結構圖案的邊緣均設有保護層。

優選地，所述保護層的材料為絕緣材料。

優選地，所述第二電極結構背離所述襯底基板的一側還設有平坦層，所述平坦層與所述保護層同層制備。

優選地，所述保護層的厚度為1.5-3um。

本實用新型還提供一種顯示面板，包括如上述技術特征任一項所述的陣列基板。

本實用新型還提供一種顯示裝置，包括如上述所述的顯示面板。

附圖說明

圖1為現有技術中封裝搭接區的陣列基板的結構示意圖；

圖2為本實用新型中封裝搭接區平坦層半色調掩膜板曝光的結構示意圖；