[實用新型]一種芯片結構有效
| 申請號： | 201922074484.5 | 申請日： | 2019-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN210607268U | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發明（設計）人： | 任遠;劉寧煬;李祈昕;李成果;陳志濤 | 申請（專利權）人： | 廣東省半導體產業技術研究院 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L23/544;H01L21/66;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 胡蓉 |
| 地址： | 510000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片結構，其特征在于，所述芯片結構包括：
襯底；
與所述襯底逐層連接的多個功能層與功能電極；所述功能電極設置于所述功能層遠離所述襯底的一側；其中，所述多個功能層中的任意一層設置有通孔；
檢測電極，所述檢測電極安裝于所述通孔。
2.如權利要求1所述的芯片結構，其特征在于，所述多個功能層中的任意一層的四周均設置有通孔，所述通孔的表面均鋪設有所述檢測電極。
3.如權利要求1所述的芯片結構，其特征在于，所述多個功能層包括緩沖層、應力釋放層、高阻層、溝道層、勢壘層以及蓋帽層，所述襯底、所述緩沖層、所述應力釋放層、所述高阻層、所述溝道層、所述勢壘層以及所述蓋帽層逐層堆疊。
4.如權利要求3所述的芯片結構，其特征在于，所述多個功能層均為氮化物功能層。
5.如權利要求4所述的芯片結構，其特征在于，制作所述緩沖層的材料包括AlN，制作所述應力釋放層的材料包括AlGaN，制作所述高阻層的材料包括GaN，制作所述溝道層的材料包括GaN，制作所述勢壘層的材料包括AlGaN，制作所述蓋帽層的材料包括GaN。
6.如權利要求1所述的芯片結構，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底、金剛石襯底、氮化鎵同質襯底中的任意一種。
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