[實(shí)用新型]一種內(nèi)互聯(lián)七電極低失調(diào)垂直霍爾磁傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922064125.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN212433374U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂飛;張金;劉飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 金陵科技學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | G01R33/07 | 分類號(hào): | G01R33/07 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237 | 代理人: | 胡建華 |
| 地址: | 210038 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 內(nèi)互聯(lián)七 電極 失調(diào) 垂直 霍爾 傳感器 | ||
1.一種內(nèi)互聯(lián)七電極低失調(diào)垂直霍爾磁傳感器,其特征在于,包括:
有源區(qū);
電極:將有源區(qū)與外部電路相連;其中,所述電極為7個(gè),分別為C1~C7,采用對(duì)稱式分布;
互聯(lián)線:采用M1和M2兩層金屬層實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部互聯(lián);其中,電極C2與C6通過(guò)金屬層M1互聯(lián),并通過(guò)金屬層M1管腳PAD0接地;電極C1與C5通過(guò)金屬層M1互聯(lián),并通過(guò)金屬層M1管腳PAD1實(shí)現(xiàn)霍爾電壓輸出;
電極C4通過(guò)金屬層M2管腳PAD3實(shí)現(xiàn)偏置電流輸入;電極C3與C7通過(guò)金屬層M2互聯(lián),并通過(guò)金屬層M2管腳PAD2實(shí)現(xiàn)霍爾電壓輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)互聯(lián)七電極低失調(diào)垂直霍爾磁傳感器,其特征在于,所述有源區(qū)采用窄條設(shè)計(jì),長(zhǎng)度和寬度分為90μm和3μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)互聯(lián)七電極低失調(diào)垂直霍爾磁傳感器,其特征在于,所述電極的寬度為1μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的內(nèi)互聯(lián)七電極低失調(diào)垂直霍爾磁傳感器,其特征在于,電極C1和C2的距離為13μm,電極C2和C3的距離為11μm,電極C3和C4的距離為13μm,電極C4和C5的距離為13μm,電極C5和C6的距離為11μm,電極C6和C7的距離為13μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)互聯(lián)七電極低失調(diào)垂直霍爾磁傳感器,其特征在于,所述有源區(qū)采用摻雜濃度不高于E18 cm-3,深度不小于1μm的N型摻雜區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)互聯(lián)七電極低失調(diào)垂直霍爾磁傳感器,其特征在于,所述金屬層M1和M2與電極之間采用通孔的方式連接。
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